判断题测量小应变时,应选择灵敏度高的金属丝应变片,测量大应变时,应选用灵敏度低的半导体应变片。()A对B错

判断题
测量小应变时,应选择灵敏度高的金属丝应变片,测量大应变时,应选用灵敏度低的半导体应变片。()
A

B


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相关考题:

试比较金属丝电阻应变片与半导体应变片的特点。

结构受弯曲作用情况,采用测量应变片互相补偿的全桥测试方案,该方案的布片和测量桥路的特点是()。 A、桥路测量灵敏度提高一倍;使用应变片较少B、桥路测量灵敏度提高了4倍;使用应变片较多C、桥路测量灵敏度提高一倍;使用应变片较多D、桥路测量灵敏度提高了4倍;使用应变片较少

半导体应变片与金属应变片比较,其具有()的优点。 A、灵敏度高B、温度稳定性好C、可靠性高D、接口电路复

电阻应变片的灵敏度系数K指的是(  )。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化

()测量方法的主要特点是:测试灵敏度高、标距小、滞后小,并且在复杂的环境中也可完成应变测量。A电阻应变片B手持式应变仪C振弦式应变计D百分表

相对金属应变片,半导体应变片具有()等优点。A、灵敏度高B、温度稳定性好C、可靠性高D、接口电路复杂

半导体应变片以()效应为主,它的灵敏度系数为金属应变片的()倍。

当测量较小应变值时,应选用电阻()效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料的相对变化来决定。

当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

当测量较小应变值时应选用()效应工作的应变片,而测量大应变值时应选用()效应工作的应变片。

常用的应变片有()与() 两大类。对于金属电阻应变片来说:S= (),而对于半导体应变片来说 S=()。前一种应变片的灵敏度比后一种 ()。

测量小应变时,应选择灵敏度高的金属丝应变片,测量大应变时,应选用灵敏度低的半导体应变片。()

半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比()A、半导体应变片的灵敏度高B、二者相等C、电阻应变片的灵敏试验高D、不能确定

一般金属应变片线性度()但灵敏度(),而半导体应变片线性度较差但灵敏度()。

下列哪些是半导体应变计的优点()。A、灵敏度高B、体积小、耗电省C、横向效应小D、机械滞后小,可测量静态应变、低频应变等

测量小应变时,应选用灵敏度高的金属丝应变片,测量大应变时,应选用灵敏度低的半导体应变片。

关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

单选题相对金属应变片,半导体应变片具有()等优点。A灵敏度高B温度稳定性好C可靠性高D接口电路复杂

填空题当测量较小应变值时,应选用电阻应变效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

填空题当测量较小应变值时应选用()效应工作的应变片,而测量大应变值时应选用()效应工作的应变片。

判断题测量小应变时,应选用灵敏度高的金属丝应变片,测量大应变时,应选用灵敏度低的半导体应变片。A对B错

单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是()。A应变片电阻值的大小B单位应变引起的应变片相对电阻值变化C应变片金属丝的截面积的相对变化D应变片金属丝电阻值的相对变化

单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A金属应变片主要利用压阻效应B金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

填空题半导体应变片以()效应为主,它的灵敏度系数为金属应变片的()倍。

单选题结构受弯曲作用情况,采用测量应变片互相补偿的全桥测试方案,该方案的布片和测量桥路的特点是()。A桥路测量灵敏度提高一倍;使用应变片较少B桥路测量灵敏度提高了4倍;使用应变片较多C桥路测量灵敏度提高一倍;使用应变片较多D桥路测量灵敏度提高了4倍;使用应变片较少

填空题常用的应变片有()与() 两大类。对于金属电阻应变片来说:S= (),而对于半导体应变片来说 S=()。前一种应变片的灵敏度比后一种 ()。

单选题半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比()A半导体应变片的灵敏度高B二者相等C电阻应变片的灵敏试验高D不能确定