多选题下列有关兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的论述，正确的是（ ）。A两者均是局部电位B突触前膜均是去极化C突触前膜释放的递质性质一样D突触后膜具有不同的离子通道
多选题
下列有关兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的论述，正确的是（ ）。
A
两者均是局部电位
B
突触前膜均是去极化
C
突触前膜释放的递质性质一样
D
突触后膜具有不同的离子通道
参考解析
解析：
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下列哪点为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征?() A、突触前膜均去极化B、突触后膜均去极化C、突触前膜释放的递质性质一样D、突触后膜对离子通透性一样E、产生的突触后电位的最终效应一样
突触传递兴奋呈单向性特征,其主要原因是由于() A、突触前、后膜的膜电位不同B、突触前膜释放递质，而后膜不释放递质C、突触前、后膜受体不同D、突触前、后膜兴奋时耗能不同E、突触前、后膜离子通道不同
关于突触传递过程的叙述,错误的是()。 A.递质与突触后膜受体结合，打开某种离子通道B.突触前膜去极化，膜对钙离子的通透性减少C.胞内钙离子浓度增加促进囊泡向突触前膜移动D.突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位E.囊泡内递质释放至突触间隙
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化 B.Ca2＋流入突触前膜的量C.递质释放 SXB 兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放D.产生突触后电位E.Na+通透性增大
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
单选题下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。A突触前膜均去极化B突触后膜均去极化C突触前膜释放的递质性质一样D突触后膜对离子通透性一样