单选题GTO是()型器件。A全控B半控

单选题
GTO是()型器件。
A

全控

B

半控


参考解析

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相关考题:

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

GTO是电压驱动型器件。()

IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

以下哪些为全控型电力电子器件?()A、晶闸管B、IGBTC、IGCTD、GTO

()是融合了IGBT与GTO优点的一种新型电力电子器件。

GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

GTO一种全控型电力电子器件。

GTO是()型器件。A、全控B、半控

为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。

GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。

下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR

GTO属于双极性器件。

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,属于()器件。A、不可控型B、半控型C、全控型D、以上答案全错

问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

判断题GTO属于双极性器件。A对B错

问答题为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。A对B错

填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。