热电偶产生的热电势中的接触电势和温差电势由( )产生。A. 温度不同、自由电子的密度不同B. 自由电子速度不同、温度不同C. 自由电子的密度不同、温度不同D. 温度不同、自由电子速度不同
单质金属的载流子是自由电子，且自由电子全部参予导电。（）
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
半导体内的载流子是（）。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴
金属导体内存在大量的自由电子，当自由电子在外加电压作用下出现定向移动便形成电流，因此自由电子移动方向就是金属导体电流的正方向。
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
自由电子的平均能量与温度有何种关系？温度如何影响费米能级？根据自由电子近似下的量子导电理论，试分析温度如何影响材料的导电性。
能带论对欧姆定律的微观解释与自由电子近似下的量子导电理论有何异同点？
在能带理论中，自由电子的能量和运动行为与自由电子近似下有何不同？
自由电子近似下的量子导电理论与经典导电理论在欧姆定律的微观解释方面有何异同点？
何为能带理论？它与近自由电子近似和紧束缚近似下的量子导电理论有何关系？
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
问答题按近自由电子模型能求解哪些问题，近自由电子近似的零级近似如何取？它主要能计算哪些物理量？
问答题布洛赫电子论作了哪些基本近似？它与金属自由电子论相比有哪些改进？
问答题近自由电子模型与紧束缚模型各有何特点？它们有相同之处？
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子
问答题三维近自由电子近似模型下的能带和一维近自由电子近似模型下的能带相比，有何不同？
填空题在自由电子近似的模型中，（）随位置变化小，当作（）来处理。
问答题什么是金属的费米面？采用近自由电子近似，在接近布里渊区边界时，费米面如何变化？
单选题本征半导体载流子（）A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等