以下关于邻牙合嵌体邻面片切洞形的描述哪项是不恰当的A．用于邻面缺损大而浅时B．可在片切面内制备箱型固位C．片切面颊舌边缘应达到自洁区D．可在片切面内制备小肩台E．用于邻面突度较大时
PN结加正向电压时,()。A、扩散运动大于漂移运动B、扩散运动小于漂移运动C、扩散运动与漂移运动平衡D、没有运动
现行国标《土工合成材料取样和试样制备》规定,该标准的取样方法只适用于卷装供应的土工合成材料,而试样的制备方法适用于所有的土工合成材料。
制备糖衣片时用于包衣的片芯形状应为A.平顶形B.扁形C.浅弧形D.深弧形E.无要求
菲克第一定律只适用于稳态扩散，而菲克第二定律只适用于非稳态扩散。（）
PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散
扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A、晶振B、电容C、电感D、PN结
房室结折返性心动过速的折返环（）。A、只包括心房B、只包括心室C、只包括房室结内或房室结周围的慢径路和快径路D、包括心房和心室E、包括心房、房室结和心室
不稳定扩散（不稳态扩散）是指扩散物质在扩散介质中浓度随（）。A、随时间和位置而变化B、不随时间和位置而变化C、只随位置而变化D、只随时间而变化
制备糖衣片时用于包衣的片芯形状应为（）A、平顶形B、扁形C、浅弧形D、深弧形E、无要求
制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）A、离子注入法B、外延法C、激光法D、扩散法
单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
以下关于邻嵌体邻面片切洞形的描述错误的是（）A、用于邻面缺损大而浅时B、可在片切面内制备箱形固位C、可在片切面内制备小肩台D、用于邻面突度较大时E、片切面颊舌边缘应达到自洁区
PN结中扩散电流的方向是：（），漂移电流的方向是（）。
判断题离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A对B错
其它(1).橡胶、松香用于制备（）|(2).羊毛脂、蜂蜡用于制备（） |(3).水溶性高分子材料用于制备（）|(4).植物油和红丹用于制备（）
单选题PN结加反向电压，则（）A有利于少子的扩散BPN结电阻变小CPN结变薄D不利于多子的扩散
填空题浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。
多选题原位MMC（）A可以通过压铸工艺制备。B可以通过定向凝固工艺制备。C可以通过扩散结合或粉末法制备。D可以通过直接金属氧化法（DIMOXTM）制备。
单选题以下关于邻嵌体邻面片切洞形的描述错误的是（）A用于邻面缺损大而浅时B可在片切面内制备箱形固位C可在片切面内制备小肩台D用于邻面突度较大时E片切面颊舌边缘应达到自洁区
单选题制备糖衣片时用于包衣的片芯形状应为（）A平顶形B扁形C浅弧形D深弧形E无要求
单选题房室结折返性心动过速的折返环（）。A只包括心房B只包括心室C只包括房室结内或房室结周围的慢径路和快径路D包括心房和心室E包括心房、房室结和心室
判断题菲克第一定律只适用于稳态扩散，而菲克第二定律只适用于非稳态扩散。A对B错
配伍题(1).（）以炼蜜为辅料用于制备 |(2).（）以药汁为辅料用于制备 |(3).（）以糯米糊为辅料用于制备 |(4).（）以蜂蜡为辅料用于制备A水丸B蜜丸C蜡丸D糊丸
配伍题(1).（）植物油、羊毛脂、蜂蜡用于制备 |(2).（）橡胶、松香、凡士林用于制备 |(3).（）硬脂酸钠、PEG6000用于制备 |(4).（）植物油和章丹用于制备