填空题1HNMR化学位移δ值范围约为（）。
填空题
1HNMR化学位移δ值范围约为（）。
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简单香豆素母核上的1H-NMR特征有A:H-3的化学位移值为6.1～6.4B:H-4的化学位移值为7.5～8.3C:H-3的化学位移值为7.0～7.5D:H-4的化学位移值为6.5～7.0E:H-3和H-4的偶合常数(J)约为9Hz
关于化学位移伪影的叙述，正确的是（）A、脂肪质子比水质子的共振频率高3.5ppmB、在1.5T时，它约为225HzC、在1.5T时，它约为230HzD、在1.5T、32kHz的带宽和256×256矩阵时，它约为2个像素E、化学位移伪影为条带状
在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
共振吸收将出现在下列的哪种位置？（）A、扫场下的高场和扫频下的高频，较小的化学位移值（δ）B、扫场下的高场和扫频下的低频，较小的化学位移值（δ）C、扫场下的低场和扫频下的高频，较大的化学位移值（δ）D、扫场下的低场和扫频下的低频，较大的化学位移值（δ）
下面有关化学位移描述正确的是（）。A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
单选题共振吸收将出现在下列的哪种位置？（）A扫场下的高场和扫频下的高频，较小的化学位移值（δ）B扫场下的高场和扫频下的低频，较小的化学位移值（δ）C扫场下的低场和扫频下的高频，较大的化学位移值（δ）D扫场下的低场和扫频下的低频，较大的化学位移值（δ）
单选题在相同的化学环境变化下，俄歇峰化学位移与光电子峰化学位移值关系是（）A俄歇位移光电子位移B俄歇位移光电子位移C俄歇位移=光电子位移D无规律可循