问答题当从存储器偶地址单元读一个字节数据时，写出存储器的控制信号和它们的有效逻辑电平信号。
问答题
当从存储器偶地址单元读一个字节数据时，写出存储器的控制信号和它们的有效逻辑电平信号。
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BHE信号和A0合起来表示当前在总线上出现的从偶地址单元或端口读一个字节的正确序列为：（）。A.BHE为低电平，A0为低电平B.BHE为低电平，A0为高电平C.BHE为高电平，A0为低电平D.BHE为高电平，A0为高电平
INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M，使用的地址信号线为A19～A0，CPU执行一次存储器读操作时，有效控制信号是（）。A、RD低电平，WR三态，M/IO低电平B、RD三态，WR低电平，M/IO高电平C、RD低电平，WR高电平，M/IO高电平D、RD高电平，WR低电平，M/IO高电平
某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机可以配备的最大主存容量为（）。
微机系统采用总线结构对CPU、存储器和外部设备进行连接。总线通常由三部分组成，它们是（）。A、逻辑总线、传输总线和通信总线B、地址总线、运算总线和逻辑总线C、数据总线、地址总线和控制总线D、数据总线、信号总线和传输总线
某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。
问答题某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。
问答题某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机可以配备的最大主存容量为（）。
单选题CPU的地址总线提供（）A数据信号流B所有存储器和I/O设备的时序信号及控制信号C来自I/O设备和存储器的响应信号D地址信号流