珠光体向奥氏体转变时,第一批晶核是在()产生的。 A、铁素体和渗碳体的界面处B、铁素体片中C、渗碳体片中D、马氏体
珠光体向奥氏体转变也是通过形核和晶核长大的过程进行的。() 此题为判断题(对，错)。
珠光体向奥氏体转变时,奥氏体晶核最容易在()形成。 A.铁素体内B.渗碳体内C.铁素体渗碳体相界面D.上述三种情况均可
熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小，所以，晶粒长大比形核所需的过冷度（）.A、要小B、要大C、相等
当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。
渗碳体的形成过程是由（）过程完成的。A、再结晶B、形成晶核和晶核长大C、奥氏体的长大D、以上均不是
变质处理的目的是使晶核长大速度（）。A、变小B、变大C、不变D、与晶核长大速度无关
结晶过程是（）的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变
由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面
结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A、不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
钢加热时奥氏体形成是由哪些基本过程所组成（）。A、晶核形成B、晶核长大C、剩余渗碳体的溶解D、奥氏体均匀化
在描述结晶的温度—浓度图中，不能自发形成晶核，但能使晶体长大的区域是（）A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、两相区
晶体结晶时，下列哪个选项是不正确的？（）A、晶核长大B、晶核产生C、保持恒温D、晶核裂变
判断题珠光体向奥氏体转变也是通过形核及晶核长大的过程进行的。A对B错
判断题当晶核长大时，随过冷度的增大，晶核的长大速度增大，但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。A对B错
判断题当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。A对B错
单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A形核率和形核速度B形核速度和形核面积C形核率和晶核长大速度D晶粒度和晶核长大速度
单选题结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
问答题说明以下概念的本质区别： 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
多选题晶核的长大方式（）A均匀长大B树枝状长大C横向长大
单选题晶核在长大时，其界面总是向（）区域推进。A无畸变B新晶粒C畸变D不一定
单选题具有粗糙界面的金属，其长大机理为（）长大。A二维晶核B垂直C螺位错D刃位错
判断题同素异构转变也遵循晶核形成与晶核长大的规律。A对B错
单选题冷却速度较大时，实际金属结晶形成晶核后长大，主要是哪种长大方式（）。A平面长大B树枝状长大C自发长大
单选题由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A大角度晶界和孪晶界B相界面C外表面
单选题晶体结晶时，下列哪个选项是不正确的？（）A晶核长大B晶核产生C保持恒温D晶核裂变