名词解释题临界晶核形核功

名词解释题
临界晶核形核功

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

晶核的形成有()方式。A、自发形核(异质形核)B、非自发形核(异质形核)C、自发形核(均质形核)D、非自发形核(均质形核)

只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做()。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核

结晶过程是()的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变

下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

金属的再结晶转变,也要经历形核与晶核长大的过程。

为何从球冠形晶核模型推导出的临界晶核半径与实际偏差很大?更符合实际的模型是什么样的?

随着过冷度的增大,晶核形核率N(),长大率G()。

其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加

非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。

临界形核功

临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚,临界晶核的半径越大,晶核的形成()。A、越容易B、需要更低的能量C、越困难D、不受影响

下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A、临界晶核的体积和表面积越小;B、形核需要的过冷度越小;C、需要的形核功越小。。

问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义,以及为什么形核要有一定过冷度?

多选题晶核的形成方式有两种,即()A喂养形成B自发形核C非自发形核

多选题关于均匀形核,以下说法正确的是()。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大,则临界半径越大

单选题金属结晶后,其晶粒的粗细与结晶时()有关。A形核率和形核速度B形核速度和形核面积C形核率和晶核长大速度D晶粒度和晶核长大速度

单选题临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚,临界晶核的半径越大,晶核的形成()。A越容易B需要更低的能量C越困难D不受影响

单选题形成临界晶核时需要的形核功由什么提供?()A由外界加热提供;B由能量起伏提供;C由体积自由能提供。

判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A对B错

问答题指出下列错误之处,并改正之。 1、所谓临界晶核,就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功,还是可以形核。 3、无论温度分布如何,常用纯金属都是树枝状方式生长。

问答题证明在相同的过冷度下均质形核时,球形晶核与立方形晶核哪种更易形成。

多选题下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A临界晶核的体积和表面积越小;B形核需要的过冷度越小;C需要的形核功越小。。

名词解释题临界形核功

单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A自发形核B非自发形核C平面形核

单选题其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A可能出现的最大晶坯尺寸变大B临界晶核半径变大C形核功减小D形核率增加

多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。