结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
试确定图题3-4所示的MOS管中，哪些是导通的?哪些是截止的?
下列选项中关于BIM参数化的说法中不正确的是()。A.参数化建模指的是通过变量建立和分析模型B.参数化设计的本质是在可变参数的前提下，系统能够自动修改所有不满足约束条件的构件参数C.“参数化修改引擎”指的是通过对任何参数的修改都可以自动地在其他相关联的部分反映出来D.“参数化图元”指的是BIM中的图元以构件形式出现，构件的参数保存了图元的所有信息
在项目中，尺寸标注属于()类别的图元。A.注释图元B.模型图元C.参数图元D.视图图元
静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
在项目中，尺寸标标注属于哪种类别的图元？（）A、注释图元B、模型图元C、参数图元D、视图图元
参数化设计是Revit的一个重要思想，以下的哪几个部分是它的组成：（）A、参数化图元B、参数化修改引擎C、造型能力D、可视化编程建模方式E、参数化建模引擎
参数化设计是Revit的一种重要思想，它分为哪两个部分（）。A、参数化图元和参数化修改引擎B、参数化图元和参数化建模引擎C、参数化图形和参数化修改引擎D、参数化图形和参数化建模引擎
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
单选题在项目中，尺寸标标注属于哪种类别的图元？（）A注释图元B模型图元C参数图元D视图图元
判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。A对B错
单选题参数化设计是Revit的一种重要思想，它分为哪两个部分（）。A参数化图元和参数化修改引擎B参数化图元和参数化建模引擎C参数化图形和参数化修改引擎D参数化图形和参数化建模引擎
多选题参数化设计是Revit的一个重要思想，以下的哪几个部分是它的组成：（）A参数化图元B参数化修改引擎C造型能力D可视化编程建模方式E参数化建模引擎
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A对B错
问答题MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？