判断题掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。A对B错

判断题
掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
A

B


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在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

分离器的分离效果不高,会使()进入计量管道,造成孔板流量计的堵塞。 A、气、液杂质B、固、液杂质C、气、固杂质D、气、液、固杂质

影响混凝处理效果的因素有水温、水的pH值、水中的杂质、接触介质和()。A杂质颗粒大小;B加药量;C水量大小;D杂质颗粒形状。

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。

影响混凝处理效果的因素有水温、水的PH值、水中的杂质、接触介质和()。A、杂质颗粒的大小;B、加药量;C、水量大小;D、杂质颗粒形状。

机械杂质与杂质的含义意义一样。

汽油清洁性能的评定指标“机械杂质”与“杂质”的含义是一样的。

筛下物和()组成粮食、油料的杂质。A、无机杂质B、有机杂质C、无机杂质、有机杂质D、无机杂质和有机杂质以及异种粮粒

对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。A、非本征B、本征

本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体

试述药物的杂质检查的内容(包括杂质的来源,杂质的限量检查,什么是一般杂质和特殊杂质)。

影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;A、①②④B、②④⑤C、①②④⑤D、①②③④⑤

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺

在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型

单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;A①②④B②④⑤C①②④⑤D①②③④⑤

单选题杂质半导体中少数载流子浓度()A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关

单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。A非本征B本征

问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

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填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

填空题()和()是半导体器件的最常用掺杂方法。()、()是Si常用的施主杂质;()是Si常用的受主杂质;()是GaAs常用的P型掺杂剂;()是GaAs常用的N型掺杂剂。