问答题DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？
问答题
DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？
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有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下列关于DRAM的叙述，正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。A、128B、256C、1024D、16384
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
单选题某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。A128B256C1024D16384