集成电路74LS系列表示（）。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路
下列器件中，（）属于不可控制电力电子器件。A、肖特基二极管B、晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应管
肖特基二级管与普通整流二级管相比，反向恢复时间（），工作频率高。
肖特基二极管与普通整流二极管相比，反向恢复时间（），工作频率高。
肖特基二极管的开关时间短，故开关损耗远（）普通二极管。
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错
与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为（）A、CT74S肖特基系列B、CT74LS低功耗肖特基系列C、CT74L低功耗系列D、CT74H高速系列
肖特基二极管适用于电压（）要求快速、高效的电路中。
74LS系列门电路中的LS是指（）。A、低功耗B、肖特基C、低功耗肖特基D、公司名称
（）的本质是一个场效应管。A、肖特基二极管B、电力晶体管C、可关断晶闸D、绝缘栅双极晶体管
单选题集成电路74LS系列表示（）。A高速肖特基TTL电路B低功耗肖特基TTL电路C低速肖特基TTL电路D高低功耗肖特基TTL电路
问答题MgO的密度是3.58g/cm3，其晶格参数是0.42nm，计算单位晶胞MgO的肖特基缺陷数。
单选题74系列TTL数字逻辑电路系国际上通用的标准电路。其中74LS××表示为（）集成电路。A标准B肖特基C低功耗肖特基D高速
填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
问答题为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗伦克尔缺陷所需能量低？
单选题晶体中的点缺陷不包括（）A肖特基缺陷B佛伦克尔缺陷C自填隙原子D堆垛层错
单选题属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A位错B螺旋位错C肖特基缺陷D层错
问答题什么是热缺陷？简述肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的特点。
多选题肖特基管与快恢复管相比（）。A耐压高B反向恢复时间长C正向压降小D耐压低
判断题肖特基二极管不能用于高频低压仪表中。A对B错