半导体EPROM写入的内容，可以通过（）擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令
半导体EPROM写入的内容，可以通过（）擦除。
- A、紫外线照射
- B、电信号
- C、口令
- D、DOS命令
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下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写
PROM是可编程只读存储器的缩写，它的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写，它的内容也由用户写入，（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
ROM又称掩膜只读存储器，它存储的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
单选题LKJ关键存储芯片EPROM类型的抽样检测试验时，反复擦除.写入次数不应低于（）次，对于RAM.Flash.DOC等可改写芯片，反复擦除.写入次数不应低于（）次，按键面膜按键次数应不低于（）次。A100，10000，50000B50，100000，200000C20，200000，100000D10，100000，100000
填空题EPROM在整片擦除后，其各单元内容是（）H。