在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
对于金属氧化物,下列条件中()能形成n型半导体。 A、掺杂低价金属离子B、氧缺位C、引入电负性大的原子D、高价离子同晶取代
怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
导电能力主要由（）决定的，称为P型半导体。A、电子B、离子C、粒子D、空穴
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
如原子除成键外仍有一个电子剩余，且极易离子化并参与导电，则为（）。A、N型半导体B、P型半导体C、Q型半导体D、R型半导体
当温度达到一定时，N型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为（）。
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A对B错
判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A对B错
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A空穴是多数载流子B在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A 温度越高，掺杂越快B 温度越低，掺杂越快C 温度恒定，掺杂最快D 掺杂快慢与温度无关
判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A对B错
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
判断题P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。A对B错