在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有() A、βB、ICMC、ICBOD、BUCEOE、PCMF、fT
晶体管的集电极最大允许电流UCM是指β下降到()值的()时的IC值,它是晶体管工作电流的上限。
晶体管的输入特性曲线和二极管的()关系特性相似,晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻,它是()和()的比值。
PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。A、改变晶体管开关的频率B、改变晶体管导通的时间C、改变晶体管的电阻大小D、改变晶体管的放大倍数
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
双极晶体管的高频参数是（）。A、hFEVcesB、BVceC、ftfm
晶体管的高频参数中，大小顺序为（）。（fα共基极截止频率，fT特征频率，fβ共发射极截止频率）。A、fα〉fT〉fβB、fα〉fβ〉fTC、fα〈fT〈fβD、fα〈fβ〈fT
稳定振荡器频率的措施中，减小负载将（）。A、提高回路Q值B、稳定晶体管参数C、加大L／C的比值D、减小工作点的变动
高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高。
在宽频带放大器中，为提高晶体管的高频端截止频率，常采用共（）放大电路。
温度的变化造成晶体管参数的改变，易影响高频振荡器的振荡频率。
在选择功放电路中的晶体管时，应特别注意的参数有（）。A、βB、ICBOC、U（BR）CEOD、ICME、PCMF、fT
晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO（），VBE（），β（）。
晶体管有三个频率参数fβ/sub称为共射截止频率，fα称为共基截止频率，fT称为（）。
已知某晶体三极管的高频参数fT、β，则共基截止频率fa约为（）
晶体管的高频参数fT是指β（ω）下降到（）时所对应的频率。
LC正弦波振荡电路的振荡频率主要取决于谐振回路的参数，而与晶体管参数及负载电阻大小无关。因此当晶体管参数及负载电阻改变时，振荡电路的频率稳定度不变。
随着工作频率的升高，晶体管的放大能力（）。 A、要上升B、要下降C、不改变D、无规律变化
影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
晶体管图示仪是测量晶体管的专用仪器，对晶体管的参数既可定性测量又可定量测量。
晶体管特性图示仪是一种能在（）撒谎那个直接观察各种晶体管（）的专用仪器，通过仪器上的（）可直接读得被测晶体管的各项参数。
高频开关电源是指功率晶体管工作在（）状态的直流稳压电源，其开关频率在（）赫兹以上。
填空题常用晶体管的高频等效电路有（）等效电路和混合π参数等效电路。
问答题超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少？
填空题晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。