什么是存储器的非破坏性读出？

在对破坏性读出的存储器进行读写操作时,为维持原存信息不变,必须辅以的操作是() A.刷新B.读后重写C.写保护D.主存校验

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存储的内容被读出后并不被破坏，这是什么设备的特性?A．随机存储器B．内存C．磁盘D．存储器

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由于动态存储器是破坏性读出,因此,需要刷新。() 此题为判断题(对，错)。

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只读存储器ROM的功能是____________。 A.只能读出存储器的内容且断电后仍保持;B.只能将信息写入存储器;C.可以随机读出或写入信息;D.只能读出存储器的内容且断电后信息全丢失

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随机读写存储器是一种既能读出又能写入的半导体存储器。（）

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在各种存储器中，闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器，与E2PROM相比其特点是(8)。A．擦除和读出速度较快，可擦字节擦除B．擦除和读出速度较快，只能按数据块擦除C．擦除和读出速度较慢，只能按数据块擦除D．擦除和读出速度较慢，可按字节擦除

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下列关于存储器的描述，正确的有A．CPU访存时间由存储器容量决定 B．ROM和RAM在存储器中是统一编址的C．ROM中任一单元不可以随机访问 D．DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写

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下列关于存储器的描述，正确的是(12)。A．CPU访存时间由存储器容量决定B．ROM和RAM在存储器中是统一编址的C．ROM中任一单元可以随机写入D．DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写

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采用输入控制的T接线器,其话音存储器的工作方式是() A.顺序写入，控制读出B.控制写入，顺序读出C.控制写入，控制读出D.顺序写入，顺序读出

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下列关于主存储器的描述中，正确的是()。Ⅰ.CPU访存时间由存储器容量决定n.ROM和RAM在存储器中是统一编址的Ⅲ.ROM中任意一个单元可以随机访问Ⅳ.DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ

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关于T接线器的输入控制方式，下列表述正确的是()。A.话音存储器控制写入、顺序读出B.话音存储器顺序写入、控制读出C.控制存储器控制写入、顺序读出D.控制存储器顺序写入、控制读出

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什么叫非破坏性检验？

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PROM存储器的功能是（）A、允许读出和写入B、只允许读出C、允许编程一次和读出D、允许编程多次和读出

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单管动态存储电路的读出操作是破坏性读出

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在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时，为维持原存信息不变，必须辅以的操作是（）。A、刷新B、再生C、写保护D、主存校验

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能随时写入数据又能随时读出数据的存储器是（）。

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PLC配有的存储器中内容只能读出，不能写入的存储器是（）。A、RAMB、ROMC、EPROMD、EEPROM

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时分接线器的输入控制方式是指话音存储器采用（）。A、顺序写入，控制读出B、顺序写入，顺序读出C、控制写入，控制读出D、控制写入，顺序读出

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时分接线器的输入控制方式是指话音存储器（）A、顺序写入；控制读出B、顺序写入；顺序读出C、控制写入；控制读出D、控制写入；顺序读出

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ROM是只读存储器，其中的内容只能读出一次，下次再读就读出不出来了。

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单选题时分接线器的输出控制方式是指话音存储器()A顺序写入控制读出B控制写入控制读出C控制写入顺序读出

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单选题时分接线器的输入控制方式是指话音存储器采用（）。A顺序写入，控制读出B顺序写入，顺序读出C控制写入，控制读出D控制写入，顺序读出

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单选题采用输入控制的T接线器，其话音存储器的工作方式是（）A顺序写入，控制读出B控制写入，顺序读出C控制写入，控制读出D顺序写入，顺序读出

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问答题试问单管DRAM单元的读出是不是破坏性的？怎样补充这一不足？（选作）有什么办法提高refresh time？

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单选题时分接线器的输入控制方式是指话音存储器（）A顺序写入；控制读出B顺序写入；顺序读出C控制写入；控制读出D控制写入；顺序读出

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单选题下列叙述中正确的是（）。ACPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的，存储器容量越大，访问存储器所需的时间越长B大多数个人计算机中可配置的内存容量仅受地址总线位数限制C因为动态存储器是破坏性读出，所以必须不断地刷新D一般情况下，ROM和RAM在存储体中是统一编址的