第三章 脑电图仪器、方法、电极、导联及电子学基础 题目列表
单选题关于高频滤波的描述，正确的是（ ）。A以该频率为界，频率越高，信号衰减程度越大B以该频率为界，频率越低，信号衰减程度越大C以该频率为界，频率越高，信号衰减程度越小D该频率的脑波被完全衰减E高频滤波的目的主要是减少低频信号的干扰
单选题关于脑电记录的滤波的描述，正确的是（ ）。A记录带通越宽，则脑电信号的保真性越差B记录带通越宽，则外界信号的干扰越弱C滤波造成的波幅衰减不应超过50%D记录带通越宽，则脑电信号的保真性越好E如高频滤波是100Hz，则100Hz以上的信号完全被衰减
单选题关于50Hz陷波滤波的描述，正确的是（ ）。A对脑波的形态没有影响B主要用于消除50Hz交流电干扰C仅对50Hz的波有衰减作用D对快波没有影响E发现交流电干扰只要开启50Hz陷波滤波即可
单选题关于高频滤波的描述，正确的是（ ）。A以该频率为界，频率越高，信号衰减程度越大B以该频率为界，频率越低，信号衰减程度越大C以该频率为界，频率越高，信号衰减程度越小D该频率的脑波被完全衰减E高频滤波的目的主要是减少低频信号的干扰
单选题关于陷波滤波的描述，错误的是（ ）。A在交流电干扰不能通过其他方法去除时时才开启滤波陷波B有条件时使用特别为神经电生理仪器设计的专用电源而不使用滤波陷波C为滤除50Hz交流电的干扰，可开启50Hz的陷波D指有选择的衰减某一频率的信号E滤波陷波不会造成棘波失真
单选题关于脑电记录的滤波的描述，正确的是（ ）。A记录带通越宽，则脑电信号的保真性越差B记录带通越宽，则外界信号的干扰越弱C滤波造成的波幅衰减不应超过50%D记录带通越宽，则脑电信号的保真性越好E如高频滤波是100Hz，则100Hz以上的信号完全被衰减
单选题关于50Hz陷波滤波的描述，正确的是（ ）。A对脑波的形态没有影响B主要用于消除50Hz交流电干扰C仅对50Hz的波有衰减作用D对快波没有影响E发现交流电干扰只要开启50Hz陷波滤波即可
单选题关于脑电图仪用电安全，下列说法不正确的是（ ）。A脑电图仪应放置在特殊的屏蔽室内，以提高抗干扰能力B脑电图仪必要时应使用电源隔离器C脑电图仪应使用医院专用的安全供电系统D脑电图仪接地最好埋设脑电图室专用的地线E脑电图仪在供电不稳定的环境内，可配置不间断电源
单选题在10-20电极安放系统中，如果痫样放电出现在F7/F8。下列关于放电的大脑起源部位的说法，最确切的是（ ）。A可以起源于额叶或颞叶B如果起源于额叶，通常是额叶内侧面C起源于额叶D起源于前颞叶E如果起源于颞叶，通常是颞叶外侧面
单选题纵向双极导联显示时，FP1-F3为－100μV，F3-C3为＋200μV，C3-P3为－150μV，P3-O1为－150μV。以下解释正确的是（ ）。A电场范围从FP1到O1均为负性，C3的负性最大。B电场范围从FP1到O1均为负性，F3的负性程度大于P3C电场范围从F3到P3均为负性，C3的负性程度大F3和P3D电场范围从F3到P3均为正性，C3的正性程度大F3和P3E电场范围从F3到P3均为正性，P3的正性程度大于F3
单选题纵向双极导联显示时，FP1-F3为－100μV，F3-C3为＋200μV，C3-P3为－150μV，P3-O1为－150μV。以下解释正确的是（ ）。A电场范围从FP1到O1均为负性，C3的负性最大。B电场范围从FP1到O1均为负性，F3的负性程度大于P3C电场范围从F3到P3均为负性，C3的负性程度大F3和P3D电场范围从F3到P3均为正性，C3的正性程度大F3和P3E电场范围从F3到P3均为正性，P3的正性程度大于F3