永久性插植治疗，确定累积剂量（放射源完全衰变）的两个参数是（）A、初始剂量率B、放射源的平均寿命C、放射源的半衰期D、治疗时间E、放射源的滤过
永久性插植治疗，确定累积剂量（放射源完全衰变）的两个参数是（）
- A、初始剂量率
- B、放射源的平均寿命
- C、放射源的半衰期
- D、治疗时间
- E、放射源的滤过
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巴黎系统的插植基本原则不包括（）A、多源插植时，放射源长度和各放射源间的距离相等B、平面插植时，周边源和中心源的强度之比由辐射平面的面积而定C、所有放射源的线比释动能率相等D、放射源是相互平行的直线源，插植时各源的中心在同一平面，即中心平面E、多平面插植，放射源排列为等边三角形或正方形
关于巴黎系统的插植基本规则，描述错误的是（）A、所有的放射源的线比释动能率相等B、放射源是相互平行的直线源C、插植时各直线源强度及长度相等D、各源的中心在同一平面，即中心平面E、多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形
可以实施术中放射治疗的射线源有（）A、深部X射线、高能电子线、高剂量率锁-192后装放射源B、钴-60γ射线、高能电子线、高剂量率铱-192后装放射源C、深部X射线、低能电子线、低能X射线D、钴-60γ射线、低能电子线、高剂量率铱-192后装放射源E、钴-60γ射线、高能电子线、低剂量率铱-192后装放射源
以下描述错误的选项是（）。A、近距离照射剂量学最基本的特点之一是放射源周围剂量分布的高梯度变化B、平方反比定律：放射源周围的剂量分布是按照与放射源之间距离的平方而上升C、放射源校准的基本方法是在空气中用电离室方法对放射源进行校准D、巴黎系统的特点是用低强度放射源连续照射E、几何优化针对不同的插值情况的优化可分为距离优化和体积优化两类
单选题近距离照射时，剂量计算误差的原因是（）。A放射源剂量强度高B放射源剂量分布的各向异性C放射源剂量分布的高梯度变化D放射源体积小E放射源包壳不均匀