绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
斩波器中的电力晶体管，工作在（）状态A、放大B、截止C、开关D、饱和
以电力晶体管组成的斩波器适于（）容量的场合。A、特大B、大C、中D、小
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
在斩波器电路中，斩波器的工作周期为10，开关的截止时间为5，斩波器的占空比是（）。A、0.2B、50C、10D、0.5
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在（）状态。A、开关B、截止C、饱和D、放大
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、栅极G、漏极D。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
以电力晶体管组成的斩波器适用于（）容量的场合。A、特大B、大C、中D、小
填空题功率场效应管的三个引脚中栅极相当于晶体管的（）
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极