杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
纯净晶体结构的半导体称之为() A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、杂质半导体
②该方案存在明显缺陷，因为得到的产物晶体事往往含有_________ 杂质，产生该杂质的原因是_______。
掺入杂质原子除形成非整比化合物外，还常常形成结构缺陷。
以下关于晶体的说法中正确的是（）。A、晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类B、任何晶体中都含有化学键，如离子键、共价键、金属键、氢键等C、含有阳离子的晶体一定属于离子晶体D、干冰和冰都属于分子晶体
晶体中的刃形位错属于（）。A、体缺陷B、面缺陷C、线缺陷D、点缺陷
实际金属晶体结构中的晶界属于晶体缺陷中的（）。A、点缺陷B、线缺陷C、面缺陷D、宏观缺陷
下列说法不属于晶体的化学缺陷的是（）。A、置换B、填隙C、空位D、非整比
在理想晶体中，只有（）能散射电子。A、杂质B、声子C、电子D、缺陷
完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
晶体中的间隙原子属于（）A、面缺陷B、体缺陷C、线缺陷D、点缺陷
填空题完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
单选题在晶体缺陷理论中进入晶体正常结点之间的间隙位置的原子称为（）A取代原子B空位原子C杂质原子D填隙原子
填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
单选题以下关于晶体的说法中正确的是（）。A晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类B任何晶体中都含有化学键，如离子键、共价键、金属键、氢键等C含有阳离子的晶体一定属于离子晶体D干冰和冰都属于分子晶体
填空题晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、（）和体缺陷。其中点缺陷又可分为（）和杂质缺陷。
单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）A取代原子B空位原子C杂质原子D填隙原子
单选题按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。A热缺陷B杂质缺陷C非化学计量缺陷DA+B+C
单选题实际晶体中总会存在不完整的、原子排列偏离理想状态的区域，这些区域称为（）。A不完整晶体B晶体缺陷C非理想晶体D非晶体
单选题晶体中的空位属于（）。A点缺陷B线缺陷C面缺陷