单选题电离辐射入射到介质内时,会产生所谓的"建成效应",它指的是()。A介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最小B介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最大C介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少,直到吸收剂量达到最小D介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最小E介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最大

单选题
电离辐射入射到介质内时,会产生所谓的"建成效应",它指的是()。
A

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最小

B

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最大

C

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少,直到吸收剂量达到最小

D

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最小

E

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最大


参考解析

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通常绝缘介质的平均击穿场强随其厚度的增加而()。

介损损耗值与温度的关系是()。 A.介质损耗随温度的上升而减小B.介质损耗随温度的上升而增加C.介质损耗随温度的下降而增加D.介质损耗与温度无关

对于高能X射线的吸收剂量测量,下列观点哪个不正确:()。A.不能把电离室看作照射仪表去求吸收剂量B.把空腔电离离室看作一个布拉格-格雷空穴C.把介质中的吸收剂量与介质内较小的充气空腔中单位体积的电离相联系D.把空腔电离室当作布拉格-格雷空腔测量吸收剂量时,不需要电子平衡条件E.电离室不能当做电子探测器

电介质的tgδ值( )。A.随温度升高而下降B.随频率增高而增加C.随电压升高而下降D.随湿度增加而增加

以下说法错误的是A.吸收剂量是一个与时间相关的辐射量B.物质的吸收剂量会随照射时间的延续而增加C.吸收剂量率D就是单位时间内物质吸收剂量的增量D.吸收剂量率的SI单位是戈瑞·秒E.照射量与吸收剂量是两个完全相同的辐射量

电介质的tgδ值()。A随温度升高而下降B随频率增高而增加C随电压升高而下降D随湿度增加而增加

以下说法错误的是()A、吸收剂量是一个与时间相关的辐射量B、物质的吸收剂量会随照射时间的延续而增加C、吸收剂量率D就是单位时间内物质吸收剂量的增量D、吸收剂量率的SI单位是戈瑞·秒E、照射量与吸收剂量是两个完全相同的辐射量

关于比释动能和吸收剂量之间关系的叙述,不正确的是()A、本质上比释动能就是给予介质的吸收剂量B、比释动能只适用于间接致电离辐射,而吸收剂量适用于所有类型辐射C、在电子平衡条件下可由比释动能计算吸收剂量D、X射线能量低时,产生的次级电子能量低射程短,介质中某点的吸收剂量等于比释动能E、当韧致辐射的能量损失可以忽略时,比释动能和吸收剂量数值上相等

关于建成效应的描述,错误的是()A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域B、对高能X射线,一般都有剂量建成区域存在C、剂量建成区内表面剂量不能为零D、高能次级电子数随深度增加而增加,导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加

关于剂量建成区形成的原因,错误的是()A、高能X(γ)射线入射到人体或模体时,在体表或皮下产生高能次级电子B、虽然所产生的高能次级电子射程较短,但仍需穿过一定深度直至能量耗尽后停止C、在最大电子射程内高能次级电子产生的吸收剂量随组织深度增加而增加D、高能X(γ)射线随组织深度增加,产生的高能次级电子减少E、剂量建成区的形成实际是带电粒子能量沉积过程

介损损耗值与温度的关系是()。A、介质损耗随温度的上升而减小B、介质损耗随温度的上升而增加C、介质损耗随温度的下降而增加D、介质损耗与温度无关

阻力加速度随球体在介质中沉降速度的增加而()。A、缓慢减少B、迅速增加C、迅速减少D、缓慢增加

液化气体如充满容器后,容器内的介质随环境温度升高而高,压力会急剧增加而发生爆炸事故。

介质的绝缘电阻随温度升高而减少,金属材料的电阻随温度升高增加。

电离辐射入射到介质内时,会产生所谓的"建成效应",它指的是()A、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最小B、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最大C、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少,直到吸收剂量达到最小D、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最小E、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最大

中心轴百分深度剂量(PDD)定义为()A、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与表面剂量的百分比B、射野中心轴上模体表面的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比C、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与模体最大深度剂量的百分比D、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比E、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与空气中参考点处剂量的百分比

在均匀介质中,随着测量点到放射源距离的增加,所测量到的吸收剂量的变化服从()A、线性变化规律B、正态分布规律C、指数变化规律D、对数变化规律E、距离平方反比规律

绝缘介质损耗在某种程度上随外加电压与电源的频率增加而增加。

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介质的绝缘电阻随温度升高而减少,金属材料的电阻随温度升高而增加。()

单选题以下说法错误的是哪个()A吸收剂量是一个与时间相关的辐射量B物质的吸收剂量会随照射时间的延续而增加C吸收剂量率D就是单位时间内物质吸收剂量的增量D吸收剂量率的SI单位是戈瑞·秒-1E照射量与吸收剂量是两个完全相同的辐射量

单选题中心轴百分深度剂量(PDD)定义是(  )。A射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与表面剂量的百分比B射野中心轴上模体表面的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比C射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与模体最大深度剂量的百分比D射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比E射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与空气中参考点处剂量的百分比

单选题电介质的tgδ值()。A随温度升高而下降B随频率增高而增加C随电压升高而下降D随湿度增加而增加

单选题电离辐射入射到介质内时,会产生所谓的“建成效应”,它是指(  )。A介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最小B介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最大C介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少,直到吸收剂量达到最小D介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最小E介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最大

单选题电离辐射入射到介质内时,会产生所谓的“建成效应“,它指的是()A介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最小B介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最大C介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少,直到吸收剂量达到最小D介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加,直到吸收剂量达到最小E介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少,直到吸收剂量达到最大

判断题介质的绝缘电阻随温度升高而减少,金属材料的电阻随温度升高增加。A对B错

单选题对于高能X射线的吸收剂量测量,下列观点哪个不正确?()A不能把电离室看作照射仪表去求吸收剂量B把空腔电离离室看作一个布拉格-格雷空穴C把介质中的吸收剂量与介质内较小的充气空腔中单位体积的电离相联系D把空腔电离室当作布拉格-格雷空腔测量吸收剂量时,不需要电子平衡条件E电离室不能当做电子探测器