低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
岩石的风化作用根据其元素的淋洗程度和代表性矿物的出现顺序可划分为不同的风化阶段,即碎屑阶段、钙淀积阶段、()、()。
岩石风化过程虽然是一个连续的渐变过程，但根据其代表性矿物可以划分为以下碎屑、钙淀积、（）、富铝化四个阶段。
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
发育成熟的盐田可分为不同层次，分别是（）。A、淹育层B、淀积层C、母质层D、基岩层
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
在众多成土过程中，在寒温带针叶林发育的SiO2残留、R2O3及（）淋溶与淀积过程为（）过程。
淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
填空题如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
问答题淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
填空题岩石风化过程虽然是一个连续的渐变过程，但根据其代表性矿物可以划分为以下碎屑、钙淀积、（）、富铝化四个阶段。
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
填空题淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。