下列各项中,( )是本征半导体。 A、N型半导体;B、P型半导体;C、PN结D、纯净的半导体。
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
发光二极管是一种将电能转变成光能的半导体器件,是由()组成。 A.2个PN结B.3个PN结C.1个PN结D.4个PN结
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C.PN结的正向导通特性D.PN工艺特性
半导体PN结的主要物理特性是（）。A放大特性B单向导电性C变压特性D逆变特性
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A4B3C2D1
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
普通半导体三极管是有？（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成D、四个PN结组成
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是（）：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。A、双向导电性B、单向导电性C、电阻特性D、温度特性
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
晶体三极管是由（）A、2个PN结组成，具有单向导电特性B、2个PN结组成，具有电压和电流放大特性C、2个PN结组成，具有电流放大特性D、2个PN结组成，具有电压放大特性E、 3个PN结组成，具有电压和电流放大特性
半导体二极管实质上就是一个PN结，它具有的特性是（）导电性。
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A具有单向导电性B具有放大性C具有改变电压特性D以上都不对
单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A具有放大特性B具有单向导电性C具有改变电压特性D具有增强内电场特性
单选题PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是（）：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。A双向导电性B单向导电性C电阻特性D温度特性