某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。A.N沟道结型管B.增强型PMOS管C.耗尽型PMOS管D.耗尽型NMOS管

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。

A.N沟道结型管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型PMOS管

D.耗尽型NMOS管


参考答案和解析
耗尽型PMOS管

相关考题:

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

万用表置在Rxlk挡测量结型场效应管,若某两个电极的正、反向电阻相等,且为几千欧,则除此之外的第三个电极为()A、基极B、源极C、漏极D、栅极

某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时,漏极电流Id=10mA,则该管的类型为()。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定

()不是场效应管的电极.A、阳极B、源极C、漏极D、栅极

场效应管的三个极分别为?()A、发射极B、栅极C、源极D、漏极

绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极

场效应管的电极为()。A、基极bB、发射极eC、集电极cD、源极sE、栅极gF、漏极d

场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压

结型场效应管的漏极、源极可调换使用。

场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。

某放大电路中正常工作的三极管各极对地电位分别是:U1=2V,U2=2.7V,U3=10V,则该管1脚是()极,2脚是()极,3脚是()极,该管采用()材料,类型是()型。

已知某晶体三极管的β=99,则该管的共基电流放大系数α为()A、1.00B、0.995C、0.99D、0.985

已知场效应管的λ=0.01,IDQ=1mA,则rds为()A、10kΩB、50kΩC、100kΩD、200kΩ

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V,发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是()型的晶体管,工作在()状态。

场效应管跨导与静态电流IDQ的关系为()A、与 IDQ成正比B、与√IDq成正比C、与I2DQ成正比D、IDq/2成正比

场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。

场效应管共漏极放大电路的信号是从()A、栅极输入,漏极输出B、源极输入,漏极输出C、栅极输入,源极输出D、漏极输入,源极输出

某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,试指出此场效管的类型。

场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。

功率场效应管的三个引脚符号为()A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G

在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用()A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的

单选题某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时,漏极电流Id=10mA,则该管的类型为()。A耗尽型管B增强型管C绝缘栅型D无法确定

单选题场效应管是以()控制漏极电流ID。AUDGBUDSCUGSDIGS