影响晶核形成和成长速率的因素A．过热度B．杂质含量C．过冷度和未溶杂质D．过热度和未溶杂质
影响晶核形成和成长速率的因素
A．过热度
B．杂质含量
C．过冷度和未溶杂质
D．过热度和未溶杂质
参考答案和解析
过冷度和未溶杂质
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关于碳酸氢钠结晶，下列说法正确的是（）。A、适宜的中温可以使在冷却过程中析出的碳酸氢钠在已有晶核上继续生长，而不过多的产生二次晶核。B、碳化液在较小过饱和度下开始结晶时，成核速率大于晶核成长速率C、在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率大于与之相适应的晶核生成速率D、要保持临界点与冷却段上层出水位置之间的距离不少于3mE、在操作过程中，中温达到一定指标之前，不开或少开冷却水，加水时应缓慢的加F、尽可能提高进塔CO2浓度
结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A、不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
单选题结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
判断题晶核形成的速度大于晶体成长的速度时，产品中晶体颗粒大而少。A对B错