生产硫铵时，若晶核形成速度大于成长速度，得到的晶粒将将发生什么变化？

生产硫铵时，若晶核形成速度大于成长速度，得到的晶粒将将发生什么变化？

相关考题：

变质处理的目的是使()长速度变小。 A、晶格B、晶界C、晶核D、晶粒
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添加剂能够吸附在阴极表面,提高阴极极化,使得晶核的生长速度大于晶核的生成速度,从而获得晶粒细小而平滑的镀层。() 此题为判断题(对，错)。
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对于相等的结晶产量，若在结晶过程中晶核的形成速度远大于晶体的成长速度，则产品中晶体的形态及数量分别为( )A.小而少B.大而少C.小而多D.大而多
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熔池中心的晶粒成长平均线速度与（）
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金属结晶时，晶核的生成速度和成长速度与镀层结构有何关系？
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薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。A、形成晶核B、晶粒自旋C、晶粒凝结D、缝道填补
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薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。A、形成晶核B、晶粒成长C、晶粒凝结D、缝道填补E、沉积膜成长
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金属凝固过程中，晶核越多，晶核的生长速度越慢，则凝固后的晶体晶粒（）A、不均匀；B、越细小；C、越粗大；D、越均匀
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当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。
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形核速度大于长大速度，晶粒细小。
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晶粒的大小与形核率和晶核的（）有关。A、凝固时间B、长大速度C、大小尺寸D、组织特点
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焊接工艺参数对晶粒成长方向有影响。当焊接速度越大时，晶粒主轴的成长方向越（）于焊缝的中心线A、平行B、垂直C、弯曲D、相交
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焊接工艺参数对晶粒成长方向有影响。当焊接速度越大时，晶粒主轴的成长方向越（）。A、平行B、垂直C、弯曲D、相交
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结晶过程中，晶粒成长的方向以及平均线速度都是变化的，晶粒成长线速度在焊缝中心最大，在熔合线上最小，等于（）A、3/5焊速B、1/2焊速C、2/3焊速D、零
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对于相等的结晶产量，若在结晶过程中晶核的形成速度远大于晶体的成长速度，则产品中晶体的形态及数量分别为（）A、小而少B、大而少C、小而多D、大而多
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同素异构转变伴随着体积的变化，其主要原因是（）A、晶粒尺寸发生变化B、过冷度发生变化C、致密度发生变化D、晶粒长大速度发生变化
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结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A、不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
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在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
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单选题下列关于控制晶粒度的方法的说法，不正确的是（）A孕育剂的作用是促进成核，阻止晶粒长大B采用增强金属液的运动，如电磁搅拌、机械振动和超声波处理等方法，或促进形成晶核，或打碎正在生长的树枝晶增加晶核而达到细化晶粒的目的C过冷度越大，越能细化晶粒D生产中采用降低浇铸温度、减小铸型温度升高的速度、提高冷却速度的方法，均可以增大过冷度，从而可使晶粒细化
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单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A晶体生长速度大大超过晶核生成速度B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C晶体生长速度等于晶核生成速度D以上都不对
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判断题当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。A对B错
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判断题当晶核长大时，随过冷度的增大，晶核的长大速度增大，但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。A对B错
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单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A形核率和形核速度B形核速度和形核面积C形核率和晶核长大速度D晶粒度和晶核长大速度
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单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A晶体生长速度大大超过晶核生成速度B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C晶体生长速度等于晶核生成速度D以上都不对
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单选题结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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判断题晶核形成的速度大于晶体成长的速度时，产品中晶体颗粒大而少。A对B错
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