测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=－5V,V3=－0.3V,则可判断()。 A、该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极B、该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极C、该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极D、该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极
半导体开关三极管正常工作的条件是工作在( )。A.截止区、饱和区B.截止区、放大区C.放大区、饱和区D.耗散区、放大区
在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时,则该管工作状态为()。 A.饱和B.截止C.放大D.不能确定
运放可以工作在(). A、线性区B、延迟区C、电压的负值区D、饱和区
测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下：V1=0V，；V2=-5V，V3=-0.3V，则可判断（）。A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极
三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。A、截止区B、饱和区C、放大区D、耗散区
做t检验时，若计算得t＞t（0.05，v），则推算的概率为（）。
对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在放大区。
差动分度时，若计算得到i为负值，应使（）旋转方向相反。A、分度头主轴与工件B、分度头主轴与工作台丝杠C、分度头侧轴与工作台丝杠D、手柄与孔盘
测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
若三极管的发射结加正向偏压，集电结加反向偏压，则该管工作于（）状态。 A、放大B、截止C、饱和D、开关
晶体三极管在电路中用作“开关”时，不能工作在（）。A、截止区和放大区B、放大区和饱和区C、截止区和饱和区D、放大区
在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ（），ICQ（），UCEQ（）。
当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、击穿区D、截止区
当NPN型BJT的VCE＞VBE且VBE＞0.5V时，则BJT工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区
在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降近似等于电源电压时，则该管工作状态为（）。A、饱和B、截止C、放大D、不能确定
一三极管三个极的对地电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（）A、放大区B、饱和区C、截止区
若三极管的发射结和集电结都处于正向偏置时，该管工作在（）A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、击穿状态
若用万用表测得某晶体二极管正反向电阻均很小或为零，则说明该管子（）。A、很好B、已失去单向导电性C、已击穿D、内部已断路
经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V，集电极电位为5V，则该管是（）型的晶体管，工作在（）状态。
在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时，则该管工作状态为（）A、饱和B、截止C、放大D、不能确定
若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是（）A、硅材料NPN管B、硅材料PNP管C、锗材料NPN管D、锗材料PNP管
测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
根据假定的正方向计算某支路电流，如果算得电流值为正，说明电流的实际方向与正方向（），若算得电流数值为负，则表明电流的实际方向与正方向（）。
检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（）A、IBQB、ICQC、UBED、UCEQ
三极管的集电结与发射结都处与反向偏值状态，则三极管工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区
若某圆形管道的Re为1000；则该管中的流体属于（）。A、层流B、紊流C、过渡流D、乱流
单选题若三极管的发射结加正向偏压，集电结加反向偏压，则该管工作于（）状态。A放大B截止C饱和D开关