倒装互连工艺是大规模红外焦平面探测器阵列非均匀性较大及盲元较多的主要原因

倒装互连工艺是大规模红外焦平面探测器阵列非均匀性较大及盲元较多的主要原因

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铟

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高炉装料时倒装、正装的区别是( )A.焦矿装入先后，先装焦为倒装，后装焦为正装B.焦矿入大钟的先后，先装焦为倒装，后装焦为正装C.焦炭在高炉内分布D.布料不同
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关于磁体类型,叙述错误的是 A、永磁型磁体磁场强度衰减极慢B、永磁型磁体的磁场均匀性及稳定性相对较差C、常导型磁体耗电较大，产生较多热量D、常导型磁体的磁场均匀性及稳定性较高E、超导型磁体的磁场均匀性及稳定性较高
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属于DR成像直接转换方式的部件是A．闪烁体+CCD摄像机阵列B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
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精确测量用红外热像仪探测器类型要求为（）。(A)热电制冷 (B)内循环制冷 (C)非制冷 (D)焦平面
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精确测量用红外热像仪探测器类型要求为（ ）。热电制冷$;$内循环制冷$;$非制冷$;$焦平面
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属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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主动红外探测器用于室外警戒时受环境气候影响较大易产生误报。
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下列叙述错误的是：（）A、主动红外探测器属于线控制型探测器B、主动红外探测器成对使用C、主动红外探测器不受外界环境的干扰D、主动红外探测器工作电流很小
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推焦系数用以评定（）。A、推焦操作的连续性B、炼焦生产工艺的优劣C、推焦操作的均匀性
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主动式红外探测器用于室外警戒时，受环境气候影响较大，容易产生（）问题。
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高炉装料时倒装、正装的区别是（）。A、焦矿装入先后，先装焦为倒装，后装焦为正装B、焦矿入大钟的先后，先装焦为倒装，后装焦为正装C、焦炭在高炉内分布D、布料不同
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红外成像方式可分为光学机械扫描式和凝视焦平面阵列式两种。
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属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
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CT成像“链”的正常顺序是（）A、探测器阵列-DAS-ADC-阵列处理器B、DAS-ADC-阵列处理器-探测器阵列C、ADC-探测器阵列-DAS-阵列处理器D、阵列处理器-探测器阵列-ADC-DASE、ADC-DAS-探测器阵列-阵列处理器
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被动的接收人体红外辐射的探测器是（）A、探测器器B、主动红外探测器C、被动红外探测D、入侵报警系统
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四元红外探测器是把4个以上性能相同，极性相反的热释电传感器整合在一起的探测器就是四元探测器。
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入侵报警系统探测器的种类较多，按探测器的警戒范围一般为空间式入侵探测器，面控式探测器、线控式探测器、开关点控式探测器，以下属于开关式入侵探测器是（）。A、室内用被动红外探测器；B、主动式红外入侵探测器；C、微波和被动红外复合入侵探测器；D、紧急报警装置。
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应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
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触摸式IDU的屏面部分应安装有（）。A、触效阵列探测器。B、发光二极管LED矩阵。C、红外线LED发射器阵列。D、A、B、C、全有。
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红外热像仪目前以（）的热像仪为主。A、热电制冷B、内循环制冷C、非制冷D、焦平面
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多选题常用的热辐射探测器主要有（）A热电偶B测辐射热计C热释电探测器D红外焦平面阵列
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单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于（　　）。A信号读出B荧光材料层和探测元阵列层的不同CA/D转换D信号输出E信号放大
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单选题入侵报警系统探测器的种类较多，按探测器的警戒范围一般为空间式入侵探测器，面控式探测器、线控式探测器、开关点控式探测器，以下属于开关式入侵探测器是（）。A室内用被动红外探测器；B主动式红外入侵探测器；C微波和被动红外复合入侵探测器；D紧急报警装置。
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单选题推焦系数用以评定（）。A推焦操作的连续性B炼焦生产工艺的优劣C推焦操作的均匀性
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单选题下列叙述错误的是：（）A主动红外探测器属于线控制型探测器B主动红外探测器成对使用C主动红外探测器不受外界环境的干扰D主动红外探测器工作电流很小
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单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
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单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯＋非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器
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