光纤通信中,光源的间接调制是利用晶体的()等性质来实现对激光辐射的调制。 A.电光效应B.磁光效应C.声光效应D.场光效应
电光效应是指电场引起晶体（）变化的现象，能够产生电光效应的晶体称为电光晶体。
克尔效应也称作折射率效应，也就是光纤的折射率n随着光强的变化而变化的（）现象。
电光晶体的非线性电光效应主要与()有关。 A、内加电场B、激光波长C、晶体性质D、晶体折射率变化量
电光晶体的线性电光效应主要与()有关。 A、外加电场B、晶体性质C、光波波长D、晶体折射率变化
电光效应、热光效应等是利用材料的折射率随电压和温度的变化而变化,从而实现光开关器件。() A.正确B.错误
电光效应、热光效应等是利用材料的折射率随电压和温度的变化而变化的特性，从而实现光开关器件。()
克尔效应是在光功率较高时，光纤的折射率随光强变化而变化的非线性现象，其中尤以（）对大功率WDM系统影响最大。A、自相位调制B、交叉相位调制C、偏振膜色散D、四波混频
所谓电光效应实际上就是指在电的作用下，液晶分子的初始排列改变为其他的排列形式，从而使液晶盒的电学性质发生变化。（）
在光的作用F。能够使物体内部产生一定方向的电动势的现象叫（）。A、声光效应B、光生伏特效应C、光电导效直D、热释电效应
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
光纤通信中，光源的间接调制是利用晶体的（）等性质来实现对激光辐射的调制。A、电光效应B、磁光效应C、声光效应D、场光效应
在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象叫（）。A、外光电效应B、压电效应C、磁电效应D、声光效应
在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应
光生伏特效应是指在光线作用下物体产生一定方向的电动势的现象，利用该效应可制成各类光电池。
光电效应是指在光线作用下，受光照的物体的导电率发生变化或产生光电电动势的现象。
在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应
多选题光纤通信中，光源的间接调制是利用晶体的（）等性质来实现对激光辐射的调制。A电光效应B磁光效应C声光效应D场光效应
填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
填空题电光效应是指电场引起晶体（）变化的现象，能够产生电光效应的晶体称为电光晶体。
单选题当半导体材料受到光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率的变化，这种现象称为（）A光伏效应；B光电导效应；C光电发射效应；D光热效应。
填空题内光电效应是指受到光照射的物质内部电子（）状态产生变化，但不存在（）发射电子的现象。
判断题当光辐射照在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大，就能使材料的电子逸出表面，向外发射出电子，这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。A对B错
判断题电光效应.热光效应等是利用材料的折射率随电压和温度的变化而变化，从而实现光开关器件。（）A对B错
单选题电光调制是指在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制电光调制又分为横向运用和纵向运用（）可以消除自然双折射而引起的相位差A横向运用B纵向运用C两种运用都D两种运用都不
单选题下面不是非线性光学现象的是（）A光混频与光参量振荡B晶体的光折变效应C晶体的光电效应
单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A外光电效应B内光电效应C光电发射D光导效应
填空题外光电效应是指受到（）的作用后，产生（）发射的现象。