压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用单晶硅片为弹性元件。此题为判断题(对，错)。
法拉第主要的贡献是（）A.发明阴极棒B.法拉第效应C.法拉第感应定律D.法拉第波动
采用分层总和法计算软土地基沉降量时，压缩层下限确定的根据是：A. σcz/σz≤0. 2B. σz/σcz≤0. 2C. σz/σcz≤0. 1D. σcz/σz≤0. 1
对于高阻管路，不宜采用离心泵并联操作，原因是什么？
加弹机某锭位上一只假捻皮圈表面划伤后，正确的更换方法是（）。A、将锭位上的这对假捻皮圈全部更换B、更换这只划伤皮圈C、只要丝饼不出现断头，仍可使用D、将该锭位上的两只皮圈互换安装
锭子主要有（）组成。A、锭杆B、锭盘C、锭脚D、锭钩E、锭胆
采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值
叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
法拉第主要的贡献是（）A、发明阴极棒B、法拉第效应C、法拉第感应定律D、法拉第波动
喷油器按阻值可分为低阻和高阻两种，高阻（）。A、0～1ΩB、2～3ΩC、13～18Ω。
产生高排低阻的主要原因是什么？有何特征？应如何处理？
常用的直流接触器有（）。A、CZ2B、CZ0C、CZ1D、都比较常用
压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效果而构成，采用（）为弹性元件。A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片
压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片
压阻式压力传感器是根据半导体材料（单晶硅）的（）原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化
感染性休克（高排低阻型）病人，其血压低的主要原因是外周血管阻力降低，故可选用去（）。
转换效率比较高的太阻电池材料是（）。A、砷化镓B、非晶硅C、单晶硅D、陶瓷
单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。
问答题比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点？
单选题法拉第主要的贡献是（）A发明阴极棒B法拉第效应C法拉第感应定律D法拉第波动
多选题阻塞高压主要有哪几类（）A乌山阻高B雅库茨克阻高C贝加尔湖阻高D新疆阻高E东北阻高
填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A对B错
填空题感染性休克（高排低阻型）病人，其血压低的主要原因是外周血管阻力降低，故可选用去（）。