衬底掺杂浓度NA越高,Vs越大,越易达到强反型。

衬底掺杂浓度NA越高,Vs越大,越易达到强反型。


参考答案和解析
错误

相关考题:

净煤气中关于饱和水浓度的说法正确的是( )。A.温度越高浓度越大;B.温度越低浓度越大;C.与温度变化无关;D.机械水含量越多浓度越大。

下列影响药物吸收的因素中,错误的是A、药物的脂溶性越大,越易吸收B、非解离药物的浓度越大,越易吸收C、药物的水溶性越大,越易吸收D、药物的溶解速率越大,越易吸收E、药物粒径越小,越易吸收

下列气体泄漏时,()种气体离地面越高,气体的浓度越大;()种气体离地面越低,气体的浓度越大。 A.COB.H2SC.NH3

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

下面有关数值孔径(NA)说法不正确的是( ) A. NA表示光纤接收和传输光的能力,NA越大,光纤接收光的能力越强,从光源到光纤的耦合效率越高B.NA越大,纤芯对光能量的束缚越强,光纤抗弯曲性能越好C.NA越大,经光纤传输后信号传输后的畸变越大D.NA越大,纤芯对光能量的束缚越弱,光纤抗弯曲性能越差

毒性物质的颗粒(),或沸点越高,越易引起中毒。A.越小B.越大C.越软

对于烟囱造成的污染来说,距离烟囱越近,污染物浓度越高,危害越大。( )

大气污染源的源高越高,源强越大,则污染越严重。( )

溶液渗透压的大小取决于单位体积溶液中溶质微粒的数目:溶质微粒(),即溶液浓度(),对水的吸引力越大,溶液渗透压():A、越多;越低;越高B、越低;越高;越高C、越多;越高;越高D、越低;越低;越低E、越少;越高;越高

空气洁净度级别与数字关系为()A、数字越小,级别越高B、数字越小,级别越低C、数字越大,级别越高D、数字越大,级别越低E、呈反

物质的爆炸下限越低,泄漏后越易达到爆炸浓度,因而危险性就越大

有色溶液(),光的吸收程度越大,吸收峰越高。A、越均匀B、浓度越小C、浓度越大D、越透明

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

亚硫酸钠与氧的反应受水温和Na2SO3的过剩量的影响。温度越高,反应越();过剩量越大,反应越()。通常控制水温在(),过剩量以维持锅水中SO32-浓度为()mg∕L为准。

NA表示光纤()和()光的能力,NA越大,光纤接收光的能力(),从光源到光纤耦合效率越高,但信号越易失真。

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

对于弱电解质,下列说法正确的是哪个?()A、弱电解质的解离常数不仅与温度有关,而且与浓度有关B、溶液的浓度越大,达到平衡时解离出的离子浓度越高,它的解离度越大C、两弱酸,解离常数越小的,达到平衡时,其pH值越大,酸性越弱D、解离度不仅与温度有关,而且与浓度有关

应用反胶团萃取蛋白时,下列选项正确的是()。A、蛋白分子量越大,萃取率越高B、蛋白分子量越大,萃取率越低C、蛋白浓度越高,萃取率越低D、蛋白浓度越高,萃取率越高

物料的易磨性越大,物料越容易(),磨机产量越高。

填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用()

填空题物料的易磨性越大,物料越容易(),磨机产量越高。

填空题PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。

单选题硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是()A衬底掺杂浓度高;B电阻率高;C光敏面小;D前者反偏后者无偏;

单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A越高B不确定C越低D不变

多选题应用反胶团萃取蛋白时,下列选项正确的是()。A蛋白分子量越大,萃取率越高B蛋白分子量越大,萃取率越低C蛋白浓度越高,萃取率越低D蛋白浓度越高,萃取率越高

问答题埋层有什么作用?说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。

单选题为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求()。A浓度均匀B浓度大C浓度小D浓度适中

填空题当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。