在N沟道增强型FET构成的单级共源极放大电路中，若静态工作点Q选择过低，则输出电压vO容易出现_____。A．频率失真B．相位失真C．顶部失真D．底部失真E．截止失真F．饱和失真

在N沟道增强型FET构成的单级共源极放大电路中，若静态工作点Q选择过低，则输出电压vO容易出现_____。

A．频率失真

B．相位失真

C．顶部失真

D．底部失真

E．截止失真

F．饱和失真

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在单级共源放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出电压与输入电压的相位关系为( )。 A.同相B反相C相差90度D不确定
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在三极管放大电路中,若Q点设置得过低,则容易产生()失真。 A、截止B、饱和C、频率D、电源
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在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
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在NPN三极管构成的共发射极交流放大电路中,若静态工作点Q位置选得过高,易产生______失真,反之,Q点位置选得过低,易产生______失真。
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在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时,则该管工作状态为()。 A.饱和B.截止C.放大D.不能确定
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由NPN型管构成的基本共射放大电路，若静态工作点偏低（即IBQ小，ICQ小），将容易产生（）失真。
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共发射极放大电路的静态工作点设置得过低，易出现饱和失真。
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共发射极放大电路的静态工作点设置过低，易出现饱和失真。
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NPN管组成的共射放大电路，Q点设置太低，输出电压的波形会出现（）？
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在共射机基本放大电路中，静态工作点选择偏高，则输出信号易产生饱和失真。
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在放大电路中，静态工作点Q过高容易产生（）失真。A、截止B、放大C、饱和D、线性
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在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是（）A、反相B、同相C、相差90º
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由NPN型三极管构成的基本共射放大电路，其输出波形出现了底部失真说明（）A、静态工作点太高，应减小RbB、静态工作点太低，应增大RbC、静态工作点太高，应增大RbD、静态工作点太低，应减小Rb
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在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降近似等于电源电压时，则该管工作状态为（）。A、饱和B、截止C、放大D、不能确定
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在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位（）A、同相B、反向C、相差90度D、相差180度
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在共发射极放大电路中，输入电压vi 与输出电流io相位（），与输出电压vo相位（）。
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一个由NPN型三极管组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现（）失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现（）失真。
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一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现（）失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现（）失真。
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在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位（）。A、同相B、反相C、相差90度D、不确定
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设计一只单级晶体管放大电路，要求输入电压和输出电压同相，输出电阻很低，应选择（） A、共射放大B、共基放大C、共集放大D、共源放大
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设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择（）电路。A、共发射极放大B、共基极放大C、共源极放大D、共集电极放大
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当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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共射极放大器的静态工作点Q选的太低，会使输出电压uO出现（）失真；放大器的静态工作点Q选的太高，会使输出电压uO出现（）失真。
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在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则vo和vi的相位相反，当为共集电路时，则vo和vi的相位相同，当为共基电路时，则vo和vi的相位（）A、相同B、相反C、相差90°D、不定
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在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时，则该管工作状态为（）A、饱和B、截止C、放大D、不能确定
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共射极放大电路中，若增加输入的正弦波信号，首先出现输出电压顶部削平的失真，这种失真是（）失真，原因是静态工作点偏（）。
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