对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。
半导体二极管按所用材料不同可分为Si管和Ge管。() 此题为判断题(对，错)。
杂质限量常用的表示方法有A.mgB.ngC.mol／LD.gE.%或ppm
n型半导体指在Si、Ge等四价元素中掺入少量五价元素P、SB.Bi、As。（）
p型半导体指在四价元素Si、Ge等中掺入少量三价元素B.Al、SC.Y。（）
半导体硅常用的施主杂质是（）。A、锡B、硫C、硼D、磷
对于锗和硅半导体来说，最常用的一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成N型半导体了。
对于锗和硅半导体来说，最常用的另一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成P型半导体了。
下列材料属于N型半导体是（）。A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。A、锡B、硼C、磷D、锰
下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷
氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
以下化学元素中是常用元素半导体的是（）。A、NaB、MgC、AlD、Si
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
杂质限量常用的表示方法有（）。A、mgB、ngC、mol／LD、gE、%或ppm
杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？
半导体的导电性介于导体与绝缘体之问。常用的半导体材料有：硅（Si）和锗（Ge）。原子结构的最外层轨道上有（）个价电子。A、2B、3C、4D、5
掺有杂质的半导体称为（）。A、本征半导体B、天然半导体C、杂质半导体D、硅半导体
填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
填空题半导体晶体的晶胞具有（）对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为（）结构。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A非本征B本征
问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。