1、以下关于杂质的描述正确的是A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级(
1、以下关于杂质的描述正确的是
A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级(参考答案和解析
如果杂质能级(深能级)的位置在Ef附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用。;如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金。;如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷。;如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。
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