用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
用万用表测试,好的单向可控硅阳极与阴极间()。 A、正向电阻小、反向电阻大B、正向与反向电阻都很小C、正向与反向电阻都很大D、正向电阻大、反向电阻小
用万用表测试好的单向可控硅,阴极与控制极间()。 A、正向电阻小、反向电阻小B、正向、反向电阻都很大C、正向、反向电阻都很小D、正向电阻大、反向电阻小
用万用表测量单向可控硅阳极与阴极间的正、反向电阻都很小时,说明管子已坏。() 此题为判断题(对，错)。
用万用表测量单向可控硅阳极与控制极间的正、反向电阻都很小时,说明管子是好的。() 此题为判断题(对，错)。
用万用表分别测量b、e极间和b、c极间PN结的正、反向电阻,如果测得正、反向电阻相差较大,这说明三极管()。 A、良好B、已经断路C、已击穿D、以上答案都不对说明了
用万用表测量可能控硅的阳极与阴极间的正反向电阻和控制极与阴极间的正反向电阻,如指针不动,则说明可控硅是好的。() 此题为判断题(对，错)。
用万用表R×100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现最小的阻值，则这只晶体管( )。A.两个PN结都被烧断B.两个PN结都被击穿C.只是发射结被击穿D.只是发射结被烧断
当用万用表的欧姆档测量二极管的正、反向电阻时，若正、反向电阻都很小，说明二极管极间断路。A对B错
用万用表R³100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现最小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被烧断B、两个PN结都被击穿C、只是发射结被击穿D、只是发射结被烧断
用万用表RX100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被击穿B、只有发射结被击穿C、只有发射结被烧毁D、只有集电结被击穿
用万用表测量可能控硅的阳极与阴极间的正反向电阻和控制极与阴极间的正反向电阻，如指针不动，则说明可控硅是好的。
用万用表测量二极管的正、反向电阻为0，说明该二极管（）。A、内部熔断B、已经击穿C、完好无损
判断可控硅是否击穿，可用万用表R10K档测量阳阴极的正反向电阻，阻值应很小，否则说明击穿。
用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时，若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（）。A、开路B、短路C、接线错误D、测量方法错误
可用万用表分别测量三极管b、e极间和b、c极间PN结的正、反向电阻；如果测得正、反向电阻都很大，说明管子内部（）。A、短路B、断路C、正常D、击穿
用万用表分别测量b、e极间和b、c极间PN结的正、反向电阻，如果测得正、反向电阻相差较大，这说明三极管（）。A、良好B、已经断路C、已击穿D、以上答案都不对
如果用万用表测得二极管正、反向电阻值都很小或为零，这说明，（）。
用万用表测量二极管的正、反向电阻，阻值均为零，表明此二极管（）。A、良好B、可用C、击穿D、断路
用指针式万用表测量单向晶闸管阳极—阴极之间和阳极—门极之间的正反向电阻均合格，再用R×10Ω档测量门极与阴极之间正反向电阻，如反向电阻略大于正向电阻，说明管子完好
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
当用万用表的欧姆档测量二极管的正、反向电阻时，若正、反向电阻都很小，说明二极管极间断路。
用万用表R³100Ω挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被击穿B、两个PN结都被烧坏C、只有发射极被击穿D、只有发射极被烧坏
多选题用万用表分别测量b、c极间PN结的正、反向电阻粗略判别半导体三极管的好坏，下面说法正确的是（）。A正、反向电阻相差较大，说明管子击穿B正、反向电阻都很大，说明三极管内部已经断路C正、反向电阻都很小或为零，说明三极管极间短路D正、反向电阻相差较大，说明三极管是好的
判断题判断可控硅是否击穿，可用万用表R10K档测量阳阴极的正反向电阻，阻值应很小，否则说明击穿。A对B错
单选题用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时，若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（）。A开路B短路C接线错误D测量方法错误
单选题用万用表测试好的单向可控硅，阳极与阴极间（）。A正向电阻小，反向电阻大B正向和反向电阻都很小C正向与反向电阻都很大D正向电阻大，反向电阻小