单选题外力引起电阻率变化的元件是()。A金属电阻应变片B半导体电阻应变片C压电元件D霍尔元件

单选题
外力引起电阻率变化的元件是()。
A

金属电阻应变片

B

半导体电阻应变片

C

压电元件

D

霍尔元件


参考解析

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外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件

()都会引起电阻率的变化。 A、矿物成分B、岩石的结构差异C、岩石的结构D、岩性

金属材料在()的作用下,会引起尺寸和形状的变化,则称为变形。 A.内应力B.外力C.内应力和外力D.内应力或外力

半导体气敏元件由于表面吸附气体,会使它的电阻率发生明显的变化。() 此题为判断题(对,错)。

量变的基本形式有()A、数量的增减引起质变B、构成成分排列次序不同引起质变C、外力引起质变D、时间变化引起质变

半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是( )。 A. 截面积B. 电阻率C. 长度D. 高通

金属的电阻率等于温度引起的电阻率、固溶体引起的电阻率与塑性形变引起的电阻率之和()

金属材料在()的作用下,会引起尺寸和形状的变化,则称为变形。A、内应力B、外力C、内应力和外力D、内应力或外力

引起零点漂移最主要的因素是()A、温度的变化B、电路元件参数的变化C、电源电压的变化D、电路中电流的变化

材料在各种形式外力作用下所能引起的尺寸﹑体积的(),称为应变。A、物理变化B、化学变化C、绝对变化D、相对变化

金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

从剔除地电阻率正常变化和干扰变化的数据处理中所提取的地电阻率变化的总称,称为()。

构件的内力是由外力作用而引起的,其大小将随外力的变化而变化。

正确的线性元件定义是线性元件是指()A、元件的参数特性随外界因素而变化B、元件的参数特性随时间变化而变化C、元件的参数特性随温度变化而变化D、元件的参数特性不随外界因素而变化

应变式传感器在外力作用下发生(),压阻式传感器在外力作用下其()发生变化,两者都将引起输出电阻的变化。

对于电阻率随湿度的增加而下降的半导体陶瓷湿敏元件称为()湿敏半导瓷。电阻率随着湿度的增加而增大的半导体陶瓷湿敏元件,称为()湿敏半导瓷。

压磁效应是当外力作用时,引起铁磁材料()的变化。A、压电系数;B、电阻率;C、介电常数;D、磁导率

半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是()。A、长度B、截面积C、电阻率D、高通

弹性元件压力表是根据()定律,即弹性元件受外力的作用,在弹性极限范围内,弹性元件所受的力与()成正比.

PTC元件的电阻率随温度的升高而()。

填空题PTC元件的电阻率随温度的升高而()。

单选题阻压式压力传感器上基于()的原理制成的。A敏感元件受压力产生形变,导致电阻的变化B敏感元件受压力产生电阻率的变化,导致电阻的变化C敏感元件受压力产生电荷D敏感元件受压力导致电路中电感受变化

单选题金属材料在()的作用下,会引起尺寸和形状的变化,则称为变形。A内应力B外力C内应力和外力D内应力或外力

填空题对于电阻率随湿度的增加而下降的半导体陶瓷湿敏元件称为()湿敏半导瓷。电阻率随着湿度的增加而增大的半导体陶瓷湿敏元件,称为()湿敏半导瓷。

单选题正确的线性元件定义是线性元件是指()A元件的参数特性随外界因素而变化B元件的参数特性随时间变化而变化C元件的参数特性随温度变化而变化D元件的参数特性不随外界因素而变化

判断题构件的内力是由外力作用而引起的,其大小将随外力的变化而变化。A对B错

单选题电阻应变式压力传感器是基于()的原理制成的。A敏感元件受压力导致电路中电感受变化B敏感元件受压力产生电阻率的变化,导致电阻的变化C敏感元件受压力产生电荷D敏感元件受压力产生形变,导致电阻的变化

填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。