半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是( )。 A. 截面积B. 电阻率C. 长度D. 高通

半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是( )。

A. 截面积

B. 电阻率

C. 长度

D. 高通

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100Ω的应变片在外力作用（应变ε＝0.005）下，电阻变化了1Ω，则该应变片的灵敏系数K为（)。A．2B．1.5C．2.5D．4

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100Ω的应变片在外力作用（ε＝0.005）下，电阻变化了1Ω，则该应变片的灵敏系数K为。

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以下对于电阻应变片描述正确的是（）。A．电阻应变片被广泛应用在航空、机械、电力、建筑等领域B．应变片标称电阻R0指常态下应变片电阻值C．电阻应变片是通过应变效应来检测压力的D．应变效应是指导体或半导体在外力作用下电阻率发生变化，其电阻值也会发生相应的变化

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半导体应变片与导体应变片在工作原理上都是利用金属形变引起的电阻的变化。（）

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30、半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是（）。A．长度B．电阻率C．截面积D．体积

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