单选题随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()A稳步递增B快速递增C下降D不变

单选题
随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()
A

稳步递增

B

快速递增

C

下降

D

不变


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

光电二极管PIN和雪崩光电二极管APD在光通信中作为光检测器件对光进行检测。() 此题为判断题(对,错)。

雪崩光电二极管,写做APD管。() 此题为判断题(对,错)。

试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

雪崩光电二极管的倍增因子定义为() 。

采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。() A.正确B.错误

PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

半导体光电检测器有()。A.PIN光电二极管B.APD雪崩光电二极管C.LEDD.LD

雪崩光电二极管噪声主要来源于倍增噪声。A对B错

目前光纤通信常用的半导体光电检测器,如()A、PN结光电二极管B、PIN光电二极管C、APD雪崩光电二极管D、电容

雪崩光电二极管噪声主要来源于倍增噪声。

不但具有光/电转换作用,而且具有内部放大作用的半导体光电检测器是()。A、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管

工作在短波长区的雪崩光电二极管是()。A、SI-APDB、Ge-APDC、InGaAs-APD

()就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

为保持稳定的增益,雪崩光电二极管需要在温度变化的情况下进行()补偿。A、湿度B、温度C、电压D、电流

随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()A、稳步递增B、快速递增C、下降D、不变

雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应

光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

雪崩光电二极管(APD)具有()A、内部放大作用B、内部衰减作用C、内部平衡作用D、内部纠错作用

常用的光电检测器有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)两种。

光接收器件主要有发光二极管(LED)和雪崩光电二极管(APD)。

简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。

判断题采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。A对B错

单选题随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()A稳步递增B快速递增C下降D不变

单选题PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()。AG>1BG<1CG=1DG=0

问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

单选题雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A灵敏度效应B温度效应C响应度效应D雪崩效应

单选题为保持稳定的增益,雪崩光电二极管需要在温度变化的情况下进行()补偿。A湿度B温度C电压D电流