单选题下列关于磁化操作的叙述中,正确的是()A决定磁化方法时,必须考虑磁化方向,尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线B当不知道缺陷方向时,必须改变磁化磁场方向,进行两次以上的磁化操作C在线圈内磁化粗短零件时,可将几个零件按预计的缺陷方向连接D磁化时,应尽可能使探伤面和磁场方向垂直EA和B
单选题
下列关于磁化操作的叙述中,正确的是()
A
决定磁化方法时,必须考虑磁化方向,尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线
B
当不知道缺陷方向时,必须改变磁化磁场方向,进行两次以上的磁化操作
C
在线圈内磁化粗短零件时,可将几个零件按预计的缺陷方向连接
D
磁化时,应尽可能使探伤面和磁场方向垂直
E
A和B
参考解析
解析:
暂无解析
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下列有关磁写的叙述()是正确的A、它出现于磁导率不同的分界线上B、由于被磁化的试件与非磁性材料接触引起的C、由于磁化磁场过强引起的D、由于磁化电流太大引起的E、由于被磁化的试件相互接触造成的
下列关于磁写的叙述中,正确的是()A、它出现于磁导率不同的分界线上B、由被磁化的试件与未磁化的试件接触而引起C、由于磁化磁场过强而引起D、由于磁化电流太大而引起E、由于被磁化的试件相互接触而造成F、E和B
下列关于磁化电流方向与缺陷方向关系的叙述中,正确的是()A、直接通电磁化时,与电流方向垂直的缺陷最易于检出B、直接通电磁化时,与电流方向平行的缺陷最易于检出C、直接通电磁化时,与电流方向无关,任何方向的缺陷都可以检出D、用线圈法磁化时,与线圈内电流方向垂直的缺陷最易于检出
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下列关于磁化电流方向与缺陷方向关系叙述正确的是()。A、直接通电磁化时,与电流方向垂直的缺陷最容易检出B、直接通电磁化时,与电流方向平行的缺陷最容易检出C、直接通电磁化时,产生周向磁场任何方向的缺陷均可检出D、直接通电磁化时,近表面的缺陷容易检出
下列关于磁化曲线的叙述中,正确的是()A、在B-H曲线上,把H为零时的B值称为矫顽力;B、B-H曲线是表示磁场强度与磁通密度关系的曲线C、一般把B-H曲线叫作技术磁化曲线;D、B-H曲线中,磁导率μ的物理意义是表征材料磁化的难易程度;E、除A以外都对
下列关于线圈磁化的叙述中,正确的是()A、可以使圆柱形工件得到均匀的磁化B、当用直流电磁化长度、外径和材质都相同的钢圆棒和钢圆管时,钢管受到的磁场作用较强C、把多个细长试件捆为一匝装满线圈,能得到强的磁化效果D、磁化同一试件,在线圈内通以交流电比通以同幅值的三相全波整流电的磁场强度要大
下列关于灵敏度标准试片使用的叙述中,正确的是()A、可用来测定磁粉探伤系统的综合性能和磁粉性能;B、零件磁化后贴置在磁化范围内;C、须将无槽的一面贴向探伤面;D、可以了解探伤面上的磁场方向和大小;E、A和D
下列关于铁磁性材料的磁化曲线的有关叙述中,正确的是()A、表示外加磁场强度和磁感应强度的变化关系B、纵轴代表矫顽力,横轴代表磁感应强度C、当外加磁场强度为零时的磁感应强度称为矫顽力D、依据起始磁化曲线,可以求出最大磁导率E、A和D是正确的
单选题下列关于磁化电流方向与缺陷方向关系叙述正确的是()。A直接通电磁化时,与电流方向垂直的缺陷最容易检出B直接通电磁化时,与电流方向平行的缺陷最容易检出C直接通电磁化时,产生周向磁场任何方向的缺陷均可检出D直接通电磁化时,近表面的缺陷容易检出
单选题下列关于磁化曲线的叙述中,正确的是()A在B-H曲线上,把H为零时的B值称为矫顽力;BB-H曲线是表示磁场强度与磁通密度关系的曲线C一般把B-H曲线叫作技术磁化曲线;DB-H曲线中,磁导率μ的物理意义是表征材料磁化的难易程度;E除A以外都对
单选题下面有关磁化操作的叙述()是正确的A决定磁化方法时,必须考虑磁化方向,尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线B当不知道缺陷的方向时,必须改变磁化磁场方向,进行二次以上的磁化操作C在线圈内磁化粗短试件时,可将几个试件按预测的缺陷方向连接即可D施加磁场时,应尽可能使探伤面与磁场方向垂直EA和B都对
单选题下列关于固定式极间磁轭磁化轴类工件的叙述中,正确的是()。A磁极连线上的磁场方向垂直于连线B能发现与轴向平行的缺陷C长度过长的工件,磁化时可能中间部位磁化不足D应该注意磁场对工件的影响
单选题下列关于磁化操作的叙述中,正确的是()A决定磁化方法时,必须考虑磁化方向,尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线B当不知道缺陷方向时,必须改变磁化磁场方向,进行两次以上的磁化操作C在线圈内磁化粗短零件时,可将几个零件按预计的缺陷方向连接D磁化时,应尽可能使探伤面和磁场方向垂直EA和B
单选题下列关于磁化电流方向与缺陷方向关系的叙述中,正确的是()A直接通电磁化时,与电流方向垂直的缺陷最易于检出B直接通电磁化时,与电流方向平行的缺陷最易于检出C直接通电磁化时,与电流方向无关,任何方向的缺陷都可以检出D用线圈法磁化时,与线圈内电流方向垂直的缺陷最易于检出
单选题下列关于磁写的叙述中,正确的是()A它出现于磁导率不同的分界线上B由被磁化的试件与未磁化的试件接触而引起C由于磁化磁场过强而引起D由于磁化电流太大而引起E由于被磁化的试件相互接触而造成FE和B