电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率
电阻应变片的灵敏度系数K指的是（ ）。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化
应变片丝式敏感栅的材料是（）。为确保应变片的性能，对此类材料的主要要求是：应变灵敏系数（），且为（）；电阻率（）；电阻温度系数（）。
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
金属应变片与应变电阻材料本身相比较，前者的灵敏系数（）。A、大B、小C、与前者相等
金属丝的灵敏度Ks恒小于同一材料金属应变片的灵敏系数K。
金属应变片的灵敏系数比应变电阻材料本身的灵敏系数小。
金属应变片的灵敏系数比应变电阻材料本身的灵敏系数（）。A、小B、大C、相等
应变片的灵敏系数与电阻丝（敏感栅）的灵敏系数有何不同？为什么？
金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同？
金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于：前者利用（）引起的电阻变化，后者利用（）变化引起的电阻变化。
电阻应变片根据材料不同分为金属应变片和半导体应变片。
金属应变片工作原理是利用（）效应；半导体应变片工作原理是利用（）效应。二者灵敏系数主要区别是：金属应变片的电阻变化主要由（）引起的，半导体应变片的电阻变化主要由（）引起的。
关于电阻应变片，下列说法中正确的是（）A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化
当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受一维应力作用时，应变片灵敏系数K的定义是（）。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比
电阻应变片中，电阻丝（）的灵敏系数小于其（）的灵敏系数的现象，称为应变片的横向灵敏系数。
金属应变计与半导体应变计在工作原理上有何异同？试比较应变计各种灵敏系数（指材料的和应变片的）概念的不同物理意义。
使用金属丝式电阻应变片测量构件应力时，当应力发变化生时，则应变片的（）发生变化。A、电阻B、长度C、电阻和长度D、灵敏系数
填空题半导体应变片工作原理是基于压阻效应，它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数（）。
单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是（）。A应变片电阻值的大小B单位应变引起的应变片相对电阻值变化C应变片金属丝的截面积的相对变化D应变片金属丝电阻值的相对变化
单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A金属应变片主要利用压阻效应B金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
判断题金属应变片的灵敏系数比应变电阻材料本身的灵敏系数小。A对B错
单选题金属应变片的灵敏系数比应变电阻材料本身的灵敏系数（）。A小B大C相等
单选题电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是（）。A单位应变的电阻变化量B单位电阻的应变变化量C单位应变的电阻变化率D单位电阻的应变变化率
问答题金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同？
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。