关于声场的特性,下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区
关于声场的特性,下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比B.近场区横向分辨率低于远场区C.近场区声束呈喇叭形D.近场区横断面上能量分布基本均匀E.远场区声束直径小于近场区
用纵波直探头在远场区内探伤,找到缺陷最大回波后,缺陷的中心位置()A、在任何情况下都位于探头中心正下方B、位于探头中心左下方C、位于探头中心右下方D、未必位于探头中心正下方
远场区是指远离探头,随着距探头的距离的增加,声压单调下降的区域。
远场区是指远离探头,随着()的增加,声压单调下降的区域。A、探头的晶片面积B、距探头距离C、偏离探头程度D、以上都不对
由于在远场区超声波束会扩散,所以探伤应尽可能在近场区进行。()
探头波束在远场区能量的集中以()。A、波束边沿最大B、波束中心最大C、波束中心与边沿一样大D、与波束宽度成反比
在探测厚度较大的工件时,选用较小K值的探头是为了减少声程过大而引起的衰减,便于发现远场区的缺陷。
垂直法探伤应用()探头,将波型为()的波束垂直入射至工件探测面,以不变的()和()射入工件。
在超声探伤,传播超声波的介质内,远场区是指()探头,声压有规律变化的区域。A、远离B、邻近C、无规律
我们将天线的辐射能量主要集中于内的一个波束称为()
探头晶片尺寸增加,半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中。
波束中心入射到工件探测面的一点到探头前距离叫探头的()。
探头晶片尺寸(),半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利。
在超声波探伤中由于探头影响反射波高度的因素有()A、探头型式B、晶片尺寸C、波束方向D、上述都有
判断题由于在远场区超声波束会扩散,所以探伤应尽可能在近场区进行。()A对B错
判断题探头晶片尺寸增加,半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中。A对B错
填空题垂直法探伤应用()探头,将波型为()的波束垂直入射至工件探测面,以不变的()和()射入工件。
判断题远场区是指远离探头,随着距探头的距离的增加,声压单调下降的区域。A对B错
填空题我们将天线的辐射能量主要集中于内的一个波束称为()
判断题探头辐射的超声波的能量主要集中在主声束内。A对B错
填空题探头晶片尺寸(),半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利。
单选题用纵波直探头在远场区内探伤,找到缺陷最大回波后,缺陷的中心位置()A在任何情况下都位于探头中心正下方B位于探头中心左下方C位于探头中心右下方D未必位于探头中心正下方
填空题远场区是指远离探头,随着()增加,声压()的区域