普通二极管在电路中正常工作时,其所承受的反向电压应大于二极管的反向击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
二极管最高反向电压为100V,则二极管的反向击穿电压通常应选为()。 A.100VB.200VC.150VD.250V
某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压() A、约等于150VB、略大于150VC、等于75V
按照反措要点要求,直流电压在110V及以上的中间继电器,并联在线圈上的消弧二极管的反向击穿电压不宜低于()。 A.600VB.800VC.1000VD.1200V
设二极管为理想二极管,反向击穿电压为20V,R为1kΩ,E为5V,求UD、UR、I?() A.5B.10C.15D.20
选用的消弧回路所用的反向二极管，其反向击穿电压不宜低于( )。A.1000V;B.600V;C.2000V;D.400V。
在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200VB.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200VC.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200VD.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
Jd3A2252 选用的消弧回路所用的反向二极管，其反向击穿电压不宜低于（ ）。（A）1000V,（B）600V；（C）2000V；（D）400V。
162、选用的消弧回路所用的反向二极管，其反向击穿电压不宜低于( )。 (A)1000V；(B)600V；(C)2000V；(D)400V。
与普通二极管相比，稳压二极管的反向击穿电压（）.A、较高B、较低C、与之相同D、变化明显
按照《反措要点》的要求，直流电压在110V及以上的中间继电器，并联在线圈上的消弧二极管的反向击穿电压不宜低于（）。A、800VB、1000VC、1200VD、1400V
直流电压在110V及以上的中间继电器，消弧回路所用反向二极管，其反向击穿电压不宜低于（）V，绝不允许低于（）V。
设二极管为理想二极管，反向击穿电压为20V，R为1kΩ，E为5V，求UD、UR、I？（）A、5B、10C、15D、20
最高反向工作电压指二极管长期工作时，允许加到二极管两端的最高反向电压，一般就取反向击穿电压。（）
选用的消弧回路的所用反向二极管，其反向击穿电压绝不允许低于（）。A、1000VB、600VC、400V
某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。A、约等于150VB、略大于150VC、等于75VD、等于300V
某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反响工作电压（）。A、约等于150VB、可略大于150VC、低于300VD、等于75V
一般规定二极管的反向工作电压为反向击穿电压的4／5。
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。
半导体二极管按结构分为（）三类。工作在反向击穿电压处的二极管称为（）二极管。
与普通二极管相比，稳定二极管的反向击穿电压（）.A、较高B、较低C、与之相同D、变化明显
二极管最高反向电压为100v，则二极管的反向击穿电压通常应选为（）。A、100vB、200vC、150vD、250v
并接在中间继电器上用作消弧回路的反向二极管，其反向击穿电压不宜低于（）V。A、500B、1000C、2000
填空题直流电压在110V及以上的中间继电器，消弧回路所用反向二极管，其反向击穿电压不宜低于（）V，绝不允许低于（）V。
填空题稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。