单选题传感器与连接器线束屏蔽层处理将既有屏蔽层（）梳理好，将绝缘胶带缠绕35±5mm。A逆向B环绕C反向D顺向
单选题
传感器与连接器线束屏蔽层处理将既有屏蔽层（）梳理好，将绝缘胶带缠绕35±5mm。
A
逆向
B
环绕
C
反向
D
顺向
参考解析
解析：
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同轴式高压电缆由内向外排列正确的是A.心线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层B.心线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C.心线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层D.心线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层E.心线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
非同轴式高压电缆的结构,从内向外排列的正确顺序是A.半导体层→芯线→绝缘层→屏蔽层→保护层SXB 非同轴式高压电缆的结构，从内向外排列的正确顺序是A.半导体层→芯线→绝缘层→屏蔽层→保护层B.芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C.屏蔽层→芯线→半导体层→绝缘层→保护层D.绝缘层→芯线→屏蔽层→半导体层→保护层E.保护层→屏蔽层→半导体层→绝缘层→芯线
屏蔽线缆端接过程中，应该注意的问题，下列（）是错误的A、丝网层要端接到屏蔽模块的屏蔽层上B、铝箔层一定不能剪去，要参加端接C、不要在屏蔽层上留有缺口D、用尼龙扎带将双绞线与模块后部的金属托架固定成一体
关于采集器与电能表RS485通讯线的连接，描述正确的是（）。A、采用屏蔽双绞导线，屏蔽层单端接地B、采用屏蔽双绞导线，屏蔽层双端接地C、采用一般屏蔽导线，屏蔽层单端接地D、采用一般屏蔽导线，屏蔽层双端接地
根据GB50312-2007《综合布线工程验收规范》的规定，对绞电缆终接时，屏蔽对绞电缆的屏蔽层与连接器件终接处屏蔽罩应通过紧固器件可靠接触，缆线屏蔽层应与连接器件屏蔽罩360°圆周接触，接触长度不宜小于（）。A、15mmB、10mmC、5mmD、12mm
同轴高压电缆由内向外排列正确的是（ ）A、芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层B、芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C、芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层D、芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层E、芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
传感器与连接器线束屏蔽层处理要求是（）。A、将既有屏蔽层顺向梳理好；B、将原绝缘胶带缠绕至35±5mm，厚度为4~5层；C、将既有屏蔽层逆向整理圆周分布在绝缘胶带上；D、利用屏蔽线废线料头，截取屏蔽层，展开，理顺。
多选题传感器与连接器线束屏蔽层处理要求是（）。A将既有屏蔽层顺向梳理好；B将原绝缘胶带缠绕至35±5mm，厚度为4~5层；C将既有屏蔽层逆向整理圆周分布在绝缘胶带上；D利用屏蔽线废线料头，截取屏蔽层，展开，理顺。
单选题非同轴式高压电缆的结构，从内向外排列的（）。A半导体层→芯线→绝缘层→屏蔽层→保护层B芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C屏蔽层→芯线→半导体层→绝缘层→保护层D绝缘层→芯线→屏蔽层→半导体层→保护层E保护层→屏蔽层→半导体层→绝缘层→芯线
填空题屏蔽双绞线的屏蔽层应与连接器件屏蔽罩360°圆周接触，接触长度不宜小于（）mm。