名词解释题比生产速率Qp

名词解释题
比生产速率Qp

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下列均为液体内沉淀试验的是A.絮状沉淀试验、免疫透射比浊法、双向扩散试验B.环状沉淀反应、单向扩散试验、速率散射比浊法C.双向扩散试验、单向扩散试验、速率散射比浊法D.免疫透射比浊法、絮状沉淀试验、速率散射比浊法E.速率散射比浊法、肥达试验、絮状沉淀试验
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因Qp=ΔU,Qv=ΔH,所以Qp与Qv都是状态函数。() 此题为判断题(对，错)。
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下述化学平衡A(g)＋B(g)=C(g),在相同的温度下,若体积增加至3／2,则压力商Qp和平衡常数Kp的关系为() A.Qp=2KpB.Qp=2/3KpC.Qp=3/2KpD.Qp=Kp
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球头挂环是专用连接金具,用来连接球型髙压悬式绝缘子上端铁帽的分为用于圆环连接的Q型和用于螺栓平面接触的QP型。适用于XP－7型高压悬式绝缘子的型号为()型。 A.Q-7B.QP-7C.QP-10D.Q-7、Q-10E.QP-7、QP-10
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成人室间隔缺损需手术治疗的指征是()。 A.Qp/Qs 1.3B.Qp/Qs= 1.5～2.0C.Qp/Qs= 1.3～1.5D.Qp/Qs 2.0E.合并重度肺动脉高压
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因QP=ΔH，QV=ΔU，所以QP与QV都是状态函数。()
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在选择电器时，电器允许的热效应Qp和短路电流通过电器时短路电流的最大热效应Qk之间应满足的关系是( )A.Qp≥QkB.Qp>QkC.Qp≤QkD.Qp
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正反应能自发进行和反应达平衡的条件分别为（）A、QpKp，△G0B、QpKp，△G0C、Qp〈Kp，△G〈0D、Qp〈Kp，△G0E、Qp=Kp，△G=0
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球头挂环是专用连接金具，用来连接球型髙压悬式绝缘子上端铁帽的分为用于圆环连接的Q型和用于螺栓平面接触的QP型。适用于XP-7型高压悬式绝缘子的型号为（）型。A、Q-7B、QP-7C、QP-10D、Q-7、Q-10E、QP-7、QP-10
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DF11G机车提手柄1位，卸载灯灭，其得电顺序为（）。A、1KD1、2QP、1QP、7KM、1KM1-6、8KMB、2QP、1QP、1KD1、7KM、1KM1-6、8KMC、1KD1、2QP、1QP、7KM、8KM、1KM1-6
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当VC-4帧速率比AU-4帧速率高时，通过指针的（）来降低VC的帧速率；当VC-4帧速率比AU-4帧速率低时，通过指针的（）来提高VC的帧速率。
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将某理想气体从温度T1加热到T2，若此变化为非恒压途径，Qp应为何值？（）A、Qp=0B、Qp=Cp（T2－T1）C、Qp不存在D、Qp等于其他值
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质量计划、工作计划、任务单分别是（）A、QP、WP、TLB、TL、QP、WPC、WP、QP、TLD、QP、TL、WP
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Qp=ΔH的条件是（）。
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细胞的比生长速率
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基质消耗比速率
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全速率寻呼信道的功率比半速率寻呼信道功率低。
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下列均为液体内沉淀试验的是（）A、絮状沉淀试验、免疫透射比浊法、双向扩散试验B、环状沉淀反应、单向扩散试验、速率散射比浊法C、双向扩散试验、单向扩散试验、速率散射比浊法D、免疫透射比浊法、絮状沉淀试验、速率散射比浊法E、速率散射比浊法、肥达试验、絮状沉淀试验
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比生长速率
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产物比生产速率（qp，g（或mo1）／g菌体·h）
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菌体的生长比速（比生长速率）
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在分批培养过程中静止期菌体的浓度变化为零因此（）A、比生长速率为零B、比死亡速率为零C、产物浓度变化为零D、比死亡速率等于比生长速率
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单选题在分批培养过程中静止期菌体的浓度变化为零因此（）A比生长速率为零B比死亡速率为零C产物浓度变化为零D比死亡速率等于比生长速率
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单选题质量计划、工作计划、任务单分别是（）AQP、WP、TLBTL、QP、WPCWP、QP、TLDQP、TL、WP
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名词解释题产物比生产速率（qp，g（或mo1）／g菌体·h）
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单选题下列均为液体内沉淀试验的是（）。A絮状沉淀试验、免疫透射比浊法、双向扩散试验B环状沉淀反应、单向扩散试验、速率散射比浊法C双向扩散试验、单向扩散试验、速率散射比浊法D免疫透射比浊法、絮状沉淀试验、速率散射比浊法E速率散射比浊法、肥达试验、絮状沉淀试验
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判断题只要20QP或50QP之一在库用位，即可在库内动车。A对B错
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