NPN型 和 PNP型晶体管的区别是 （）。A．由两种不同材料硅和锗制成的B．掺入杂质元素不同C．P区和N区的位置不同D．放大系数不同

NPN型 和 PNP型晶体管的区别是 （）。

A．由两种不同材料硅和锗制成的

B．掺入杂质元素不同

C．P区和N区的位置不同

D．放大系数不同

参考答案和解析
B

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NPN型和PNP型三极管的主要区别是()。A、由两种不同材料构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同
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NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同
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测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
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A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
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在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管
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3AX81三极管的制作材料、类型分别是（）A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
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用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和管脚依次为（）A、PNP管，CBEB、NPN管，ECBC、NPN管，CBED、PNP管，EBC
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晶体三极管根据内部结构不同分为（）。A、PNP型和NPN型B、PNN型和NPP型C、NPP型和PNP型D、NPN型和NPP型
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测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
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NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
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如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型？
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NPN型和PNP型三极管的区别是（）。A、由两种不同的材料硅和锗构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同
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根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
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那种PLC的输出形式，输出可以不考虑电源极性（）。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出
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PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
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已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
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NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
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已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v，VE=-7v，VC=-4v，可以判定此晶体管是（）管，处于（）。A、NPN管，饱和区B、PNP管，放大区C、PNP管，截止区D、NPN管，放大区
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测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（）。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管
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晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
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晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。
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填空题NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
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单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型
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