7、下面说法正确的有A.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为饱和失真,是由于工作轨迹进入了可变电阻区。B.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为截止失真,是由于工作轨迹进入了截止区。C.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为饱和失真,是由于工作轨迹进入了饱和区。D.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为截止失真,是由于工作轨迹进入了击穿区。E.对于NMOS管共源放大电路,vo波形顶部失真为饱和失真,是由于工作轨迹进入了可变电阻区。F.对于NMOS管共源放大电路,vo波形顶部失真为截止失真,是由于工作轨迹进入了截止区。G.对于NMOS管共源放大电路,vo波形双向失真因为输入信号幅度过大,是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。H.对于NMOS管共源放大电路,vo波形双向失真因为输入信号幅度过大,是由于工作轨迹同时进入了饱和区和截止区。
7、下面说法正确的有
A.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为饱和失真,是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
B.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为截止失真,是由于工作轨迹进入了截止区。
C.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为饱和失真,是由于工作轨迹进入了饱和区。
D.对于NMOS管共源放大电路,vo波形底部失真为截止失真,是由于工作轨迹进入了击穿区。
E.对于NMOS管共源放大电路,vo波形顶部失真为饱和失真,是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
F.对于NMOS管共源放大电路,vo波形顶部失真为截止失真,是由于工作轨迹进入了截止区。
G.对于NMOS管共源放大电路,vo波形双向失真因为输入信号幅度过大,是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。
H.对于NMOS管共源放大电路,vo波形双向失真因为输入信号幅度过大,是由于工作轨迹同时进入了饱和区和截止区。
参考答案和解析
错误
相关考题:
单选题导体温度升高时,下面说法正确的是()。A阻值增大B阻值减小C阻值不变D阻值有可能增大,有可能减小