42、在薄膜与衬底之间浸润性较好的情况下,薄膜的形核过程可以近似地被认为是一个非自发形核过程。

42、在薄膜与衬底之间浸润性较好的情况下,薄膜的形核过程可以近似地被认为是一个非自发形核过程。


参考答案和解析
正确

相关考题:

液态金属结晶的基本过程是() A.边形核边长大B.先形核后长大C.自发形核D.非自发形核

结晶过程中,过冷度越大,形核机率越大,形核数目越多。

晶核的形成有()方式。A、自发形核(异质形核)B、非自发形核(异质形核)C、自发形核(均质形核)D、非自发形核(均质形核)

珠光体的转变是一个形核,长大的过程。()

再结晶是形核—长大过程,所以也是一个相变过程。

钢水的凝固过程包括()。A、开始凝固B、过程凝固C、形核D、核长大

非自发形核

液态金属结晶的基本过程是()。A、边形核边长大B、先形核后长大C、自发形核非自发形核D、晶枝生长

在凝固过程中形核的两种方式是()形核和非自发形核。

只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做()。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核

熔池的结晶是经历形核和长大的过程,在焊接熔池过热条件下只存在均质形核。

结晶过程是()的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变

下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A、越小B、越大C、为90°D、以上都不对

非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

简述薄膜形核的过程和长大的过程。

焊缝金属,开始结晶时并不形核,而是在母材基体上()长大。A、自发形核B、非自发形核C、联生结晶D、细化晶粒

在金属结晶过程中,晶核的形成有两种形式:()。且非自发形核比自发形核更重要,往往起()作用。

非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。

多选题晶核的形成方式有两种,即()A喂养形成B自发形核C非自发形核

单选题液态金属结晶的基本过程是()。A边形核边长大B先形核后长大C自发形核非自发形核D晶枝生长

名词解释题非自发形核

判断题非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。A对B错

判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A对B错

多选题以下说法中,()说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A自发形核B非自发形核C平面形核

单选题非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A越小B越大C为90°D以上都不对

多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。