18、下列说法中错误的是_______。A.高位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。B.低位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。C.高位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。D.低位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
18、下列说法中错误的是_______。
A.高位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。
B.低位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。
C.高位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
D.低位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
参考答案和解析
C
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