就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小
晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向
PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变
当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。() 此题为判断题(对，错)。
PN结反向偏置时,外加电压削弱了内电场。() 此题为判断题(对，错)。
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是()。 A.结电容随反向电压线性变化B.结电容随着反向电压向负方向增大而减小C.反向电压变化不影响结电容变化
当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。（）
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化
当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时，反向电流（）。A、基本上不随反向电压变化B、随反向电压增大而增大C、随反向电压增大而减小D、不一定
PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
变容二极管的主要参量有（）。A、中心反向偏压B、标称电容C、零偏压优值D、反向击穿电压
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度（）、（）等效电阻。
如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）A、阻当层不变，反向电流基本不变B、阻当层变厚，反向电流基本不变C、阻当层变窄，反向电流增大D、阻当层变厚，反向电流减小
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
在利用变容二极管进行调频时，必须加上一个大于调制信号振幅的反向直流偏压，是为了（）。A、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有反向电压B、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有反向电压C、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有正向电压D、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有正向电压
变容二极管的（）随外加偏压而变化，当反向偏压向负的方向增大时，变容二极管的（）。
当加在变容二极管上的负偏压向负的方向增大时，它的结电容（）当负偏绝对值减小时，结电容（）
单选题当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时，反向电流（）。A基本上不随反向电压变化B随反向电压增大而增大C随反向电压增大而减小D不一定
单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A结电容随反向电压线性变化B结电容随着反向电压向负方向增大而减小C反向电压变化不影响结电容变化